Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1997, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, выпуск 2
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шпунт В.Х.
Фотовольтаический эффект гетероконтакта p-CuInSe
2
/зеленый лист
129
Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Албул А.В., Рябова Л.И.
Электротехнические неустойчивости, обусловленные метастабильными электронными состояниями в PbTe(Ga)
133
Беляева И.В., Голант Е.И., Пашковский А.Б.
Особенности резонансного взаимодействия электронов с высокочастотным электрическим полем в двухбарьерных структурах
137
Габис И.Е.
Перенос водорода в пленках графита, аморфного кремния и оксида никеля
145
Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Джумаева М., Назаров Н.
Туннельно-избыточный ток в невырожденных барьерных p-n- и m-s-структурах A
III
B
V
на Si
152
Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний--кремний
159
Максимов М.В., Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Копьев П.С., Кочнев И.В., Леденцов Н.Н., Лунев А.В., Рувимов С.С., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Шерняков Ю.М., Алферов Ж.И., Bimberg D.
Инжекционный гетеролазер на квантовых точках со сверхвысокой температурной стабильностью порогового тока до 50
o
C
162
Крестников И.Л., Максимов М.В., Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В., Цацульников А.Ф., Люблинская О.Г., Воловик Б.В., Копьев П.С., Sotomayor Torres С.М.
Оптические свойства субмонослойных структур CdSe-(Zn,Mg)(S,Se)
166
Алешкин В.Я., Бекин Н.А.
Спектры электронов и дырок и правила отбора для оптических переходов в гетероструктуре Ge
1-x
Si
x
/Ge
171
Боярская Ю.С., Грабко Д.З., Мединская М.И., Палистрант Н.А.
Механические свойства чистых и легированных кристаллов InP, выявляемые при локальном нагружении
179
Жданович Н.С.
О необычной "полосе" поглощения в инфракрасном спектре кремния, отжигающегося при высокой температуре с последующим быстрым охлаждением
183
Дацко Б.И.
Численное моделирование явления нестабильности микроплазмы
186
Вагидов Н.З., Грибников З.С., Коршак А.Н.
Осцилляции баллистического тока дырок через одноосно-сжатые полупроводниковые слои
191
Качлишвили З.С., Качлишвили Х.З., Чумбуридзе Ф.Г.
Коэффициент захвата горячих электронов на отталкивающие центры в условиях поперечного убегания
204
Косяченко Л.А., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф.
Особенности фотоэмиссии электронов из металла в диодах Шоттки на основе SiC
207
Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К., Гусева О.А.
Спектры пробойной электролюминесценции p-n-переходов на карбиде кремния
213
Заячук Д.М.
К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца
217
Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П.
Формирование порядка в системе локализованных зарядов неупорядоченных слоев твердых растворов теллурида и сульфида кадмия
222
Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П.
Двухэлектронные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца. Определение энергии Хаббарда
227
Дианов Е.М., Трубенко П.А., Филимонов Е.Э., Щербаков Е.А.
Влияние термического отжига на люминесцентные свойства квантово-размерных структур на основе соединений ZnCdSe/ZnSe
232
Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Ли З., Шмидт Б.
Генерация радиационных дефектов в высокоомном кремнии при циклическом облучении и отжиге
235
Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Плешка В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фоточувствительность гетероструктур InP/CdS в линейно поляризованном свете
241
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фотоэлектрические свойства гетероконтакта пористого и монокристаллического кремния
245
Лебедев А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фотолюминесценция анодизированных слоев CdSiAs
2
249
Агекян В.Ф., Лебедев А.А., Рудь Ю.В., Степанов Ю.А.
Фотолюминесценция анодизированного карбида кремния
251
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук