Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2000, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, выпуск 3
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Островский И.В., Стебленко Л.П., Надточий А.Б.
Образование поверхностного упрочненного слоя в бездислокационном кремнии при ультразвуковой обработке
257
Электронные и оптические свойства полупроводников
Гнатюк В.А., Городниченко Е.С., Мозоль П.Е., Власенко А.И.
Фотоэлектрические и электрические свойства поликристаллических слоев Cd
x
Hg
1-x
Te на подложках GaAs
261
Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Бойдедаев С.Р.
Кинетика установления термоэдс горячих носителей заряда в p-n-переходе с учетом нагрева решетки
266
Онопко Д.Е., Рыскин А.И.
Структура метастабильных центров атомов III группы в кристаллах IV--VI
270
Насрединов Ф.С., Серегин Н.П., Серегин П.П., Бондаревский С.И.
Мессбауэровское исследование двухэлектронной акцепторной примеси цинка в кремнии
275
Зубкова С.М., Изюмов В.А., Русина Л.Н., Смелянская Е.В.
Многодолинное расщепление энергетического спектра мелкого донора в полупроводниках со структурой типа алмаза и сфалерита
278
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Чучева Г.В.
Генерация неосновных носителей заряда у поверхности полупроводника при ионной термодеполяризации структур металл--диэлектрик--полупроводник
283
Слободчиков С.В., Салихов Х.М.
Влияние влажности и водорода на токоперенос диодных структур на основе p-InP с палладиевым контактом
290
Александров С.Е., Гаврикова Т.А., Зыков В.А.
Исследование пленок GaN<O> и структур на их основе
297
Заводинский В.Г.
Компьютерное излучение механизмов сегрегации фосфора на границе SiO
2
/Si(100)
302
Крылов П.Н.
Влияние термополевой ионизации на формирование барьера Шоттки металл--<аморфный кремний>
306
Крылов П.Н.
Генерационно-рекомбинационный ток в контакте металл--< аморфный кремний> при термополевой ионизации в области объемного заряда
311
Кисин В.В., Сысоев В.В., Ворошилов С.А., Симаков В.В.
Влияние адсорбции кислорода на проводимость тонких пленок оксида олова
314
Таскин А.А., Зайцев Б.А., Ободников В.И., Тишковский Е.Г.
Особенности пространственного перераспределения атомов селена, имплантированных в кремний
318
Низкоразмерные системы
Вавилова Л.С., Капитонов В.А., Лившиц Д.А., Лютецкий А.В., Мурашова А.В., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Тарасов И.С.
Фотолюминесцентные и электролюминесцентные свойства спонтанно формирующихся периодических InGaAsP-структур
325
Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Бедарев Д.А., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Малеев Н.А., Мусихин Ю.Г., Устинов В.М., Берт Н.А., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И.
Механизмы распада твердого раствора InGaAlAs, стимулированного квантовыми точками InAs
330
Голант Е.И., Пашковский А.Б.
Двухуровневые волновые функции электронов в двухбарьерных квантово-размерных структурах в электрическом поле конечной амплитуды
334
Пашковский А.Б.
Переменный пространственный заряд и неоднозначность квантовых состояний в двухбарьерных структурах
340
Хохлов А.Ф., Чучмай И.А., Ершов А.В.
Особенности поглощения в наноструктурах a-Si / ZrO
x
349
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Мездрогина М.М., Пацекин А.В.
Трансформирование неупорядоченной структурной сетки пленок аморфного гидрированного кремния при легировании бором
354
Зимин С.П.
Классификация электрических свойств пористого кремния
359
Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н.
Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si : H<P>
364
Голикова О.А.
Пленки аморфного бора с повышенной электропроводностью
369
Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А.
Поглощение и фотопроводимость в компенсированном бором mu c-Si:H
373
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme