Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2004, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, выпуск 5
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Бояркина Н.И., Смагулова С.А.
Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле
513
Электронные и оптические свойства полупроводников
Савицкий А.В., Парфенюк О.А., Илащук М.И., Савчук А.Й., Чупыра С.Н.
Равновесные характеристики и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe : Pb
516
Нифтиев Н.Н.
Электрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS
4
522
Гуга К.Ю., Коллюх А.Г., Липтуга А.И., Мороженко В.А., Пипа В.И.
Особенности теплового излучения плоскопараллельных пластин полупроводника
524
Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Щербонос Л.Ф.
Нелинейное поглощение света в твердых растворах Zn
0.37
Cd
0.63
Se
529
Варавин В.С., Дворецкий С.А., Костюченко В.Я., Овсюк В.Н., Протасов Д.Ю.
Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe
532
Мудрый А.В., Ларионова Т.П., Шакин И.А., Гусаков Г.А., Дубров Г.А., Тихонов В.В.
Оптические свойства монокристаллов синтетических алмазов
538
Грузинцев А.Н., Волков В.Т.
Обращение волнового фронта на поверхности оптически возбужденного ZnO
543
Шевалеевский О.И., Цветков А.А., Ларина Л.Л., Myong S.Y., Lim K.S.
Взаимосвязь спиновых структурных дефектов и проводимости в пленках гидрированного нанокристаллического кремния с добавками углерода
547
Нифтиев Н.Н., Алиджанов М.А., Тагиев О.Б., Мамедов Ф.М., Мурадов М.Б.
Электрические свойства MnIn
2
Se
4
550
Степанов Н.П.
Плазмон-фонон-поляритоны в легированных акцепторной примесью сплавах висмут-сурьма
552
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Пушный Б.В., Яковлев Ю.П.
Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
556
Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Стрильчук О.Н.
Коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими акцепторами и донорами в арсениде галлия
563
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д.
Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe--p-GaSe в процессе "старения"
566
Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П.
О предельной квантовой эффективности краевой электролюминесценции в кремниевых барьерных структурах
570
Шашкин В.И., Мурель А.В.
Теория туннельного токопереноса в контактах металл- полупроводник с приповерхностным изотипным delta-легированием
574
Низкоразмерные системы
Курганский С.И., Борщ Н.А.
Геометрическая структура и спектральные характеристики электронных состояний кремниевых наночастиц
580
Агекян В.Ф., Степанов Ю.А., Акаи И., Карасава Т., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Жуков А.Е., Устинов В.М., Зейлмейер А., Шмидт С., Ханна С., Зибик Е.
Люминесценция ступенчатых квантовых ям в структурах GaAs/GaAlAs и InGaAs/GaAs/GaAlAs
585
Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Герасименко Н.Н., Иржак А.В., Лисаченко М.Г.
Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации
593
Мирлин Д.Н., Сапега В.Ф., Устинов В.М.
Вертикальный транспорт горячих электронов в сверхрешетках GaAs/AlAs
598
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Осминкина Л.А., Курепина Е.В., Павликов А.В., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К.
Взаимодействие инфракрасного излучения со свободными носителями заряда в мезопористом кремнии
603
Давиденко Н.А., Ищенко А.А., Костенко Л.И., Кувшинский Н.Г., Мысык Д.Д., Мысык Р.Д.
Фотопроводимость полимерных композиций с высокой концентрацией органических красителей
610
Зимин С.П., Брагин А.Н.
Тензорезистивный эффект в слоях пористого кремния с различной морфологией
616
Братусь В.Я., Окулов С.М., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г.
Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением
621
Форш П.А., Осминкина Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К.
Особенности электрического транспорта в анизотропно наноструктурированном кремнии
626
Физика полупроводниковых приборов
Одноблюдов В.А., Егоров А.Ю., Кулагина М.М., Малеев Н.А., Шерняков Ю.М., Никитина Е.В., Устинов В.М.
Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие в диапазоне длин волн 1.3 мкм
630
Емельянов А.М., Николаев Ю.А., Соболев Н.А., Мельникова Т.М.
Кинетика электролюминесценции в эффективном кремниевом светодиоде с температурно-стабильными спектральными характеристиками
634
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук