Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2002, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, выпуск 7
Обзоры
Санкин В.И.
Ванье-штарковская локализация в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния О б з о р
769
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Быковский Ю.А., Воронкова Г.М., Григорьев В.В., Зуев В.В., Зуев А.В., Кирюхин А.Д., Чмырев В.И., Щербаков С.А.
Изменение условий собирания примесей после долговременных отжигов
794
Иванов-Омский В.И., Лодыгин А.Б., Ястребов С.Г.
Анализ функции распределения по размерам нанокластеров металлов в матрице гидрогенизированного аморфного углерода
797
Электронные и оптические свойства полупроводников
Байдуллаева А., Венгер Е.Ф., Власенко А.И., Ломовцев А.В., Мозоль П.Е.
Изменение электрических и фотоэлектрических свойств твердых растворов Mg
0.15
Cd
0.85
Te под действием импульсного излучения лазера из области прозрачности кристаллов
801
Медведева Н.И., Юрьева Э.И., Ивановский А.Л.
Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки
805
Козлов А.И., Козлова С.Г., Матвеев А.В., Собо лев В.В.
Параметры экситонов моноклинного диарсенида цинка
809
Савкина Н.С., Ратников В.В., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Трегубова А.С., Волкова А.А.
Структура и свойства карбида кремния, выращенного на пористой подложке методом сублимационной эпитаксии в вакууме
812
Венгер Е.Ф., Ермолович И.Б., Миленин В.В., Папуша В.П.
Влияние состава твердого раствора CdS и Ga
2
S
3
на его свойства и дефектную структуру
817
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В.
СВЧ магнитосопротивление компенсированного p-Ge : Ga в области фазового перехода изолятор--металл
826
Нифтиев Н.Н.
Термостимулированные токи в монокристаллах MnIn
2
S
4
836
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Кузьменко Р.В., Домашевская Э.П.
E
0
-спектры фотоотражения полупроводниковых структур с высокой плотностью состояний в области границы раздела
838
Беляев А.П., Рубец В.П.
Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных в резко неравновесных условиях
843
Абрамов А.А., Горбатый И.Н.
Особенности магнитодиодного эффекта в многодолинных полупроводниках при низких температурах
847
Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А.
Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе в электрических полях
853
Ибрагимов Т.Д., Джафарова Э.А., Сафаров З.Б.
Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe--SiO
2
спектроскопическими методами
858
Низкоразмерные системы
Борисенко C.И.
Расчет низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/Al
0.36
Ga
0.64
As в области температуры 77 K
861
Соловьев В.А., Торопов А.А., Мельцер Б.Я., Терентьев Я.В., Кютт Р.Н., Ситникова А.А., Семенов А.Н., Иванов С.В., Motlan , Goldys E.M., Копьев П.С.
GaAs в GaSb --- напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона
869
Белявский В.И., Шевцов С.В.
Неоднородное уширение основного электронного уровня в массиве квантовых точек
874
Физика полупроводниковых приборов
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талала кин Г.Н.
<< Иммерсионные>> инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе узкозонных полупроводников A
III
B
V
881
Торхов Н.А., Ивонин И.В., Черников Е.В.
Аморфизация приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs под воздействием атомарного водорода
885
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук