Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 7
Рудь Ю.В.
Оптоэлектронные явления в дифосфиде цинка и германия Обзор
1
1105
Коротченков О.А.
Изучение эпитаксиальных структур GaAs методом акустомодуляции отражения света
1149
Слободчиков С.В., Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Руссу Е.В., Салихов Х.М.
Диодные структуры Pd--p--GaP<Mn>: электрические и фотоэлектрические характеристики и влияние на них водорода
1155
Иванов П.А.
Полевой транзистор на основе 6 H-SiC: температурная зависимость проводимости n-канала
1161
Иванов П.А., Константинов А.О., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.П., Челноков В.Е.
Зарядовые свойства МОП структуры Al--SiO
2
-- n-6 H-SiC \(0001)Si\
1172
Ильинский А.В., Куценко А.Б., Мельников М.Б.
Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p- i- n-структурах на основе GaAs
1180
Андреев А.Н., Иванов П.А., Стрельчук А.М., Савкина Н.С., Челноков В.Е., Шапошников И.Р.
Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC--6 H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой системе
1192
Калин М.В., Пышная Н.Б., Тигиняну И.М.
Обнаружение электронной ловушки при E
c
-0.41 эВ в InP:Fe методом термостимулированных токов
1194
Борисов В.И., Дмитриев С.Г., Любченко В.Е., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Спиридонов К.И.
Низковольтные неустойчивости тока в длинных образцах AlGaAs/GaAs под действием импульсных и СВЧ полей
1199
Алексеев И.В.
О некоторых особенностях генерационно-рекомбинационных процессов при облучении TlInSe
2
1205
Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З., Огородник А.Д., Жирко Ю.И.
Фоточувствительные гетероструктуры собственный оксид -- p-In
4
Se
3
1208
Карачевцева М.В., Игнатьев А.С., Мокеров В.Г., Немцев Г.З., Страхов В.А., Яременко Н.Г.
Температурные исследования фотолюминесценции структур In
x
Ga
1-x
As/ GaAs с квантовыми ямами
1211
Власенко А.И., Любченко А.В.
Эффект вытягивания неосновных носителей в фоторезистивных кристаллах Cd
x
Hg
1-x
Te с различным типом проводимости
1219
Голикова О.А., Домашевская Э.П., Казанин М.М., Мавлянов Х.Ю., Терехов В.А.
Дефекты в аморфном кремнии, легированном бором
1223
Аникин М.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
1227
Аникин М.М., Лебедев А.А., Растегаева М.Г., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
Эпитаксиальные слои и p-n-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом
1231
Попов А.А.
Излучательная рекомбинация в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb предельного состава
1235
Добин А.Ю., Перель В.И.
300 Об -0.5ptособенностях -0.5ptгорячей -0.5ptфотолюминесценции в асимметричной квантовой яме
1243
Берча Д.М., Митин О.Б., Раренко И.М., Хархалис Л.Ю., Берча А.И.
Зонная структура ромбических кристаллов CdSb, ZnSb и In
2
Se
3
при деформациях и моделирование сверхрешеток
1249
Бычковский Д.Н., Константинов О.В.
Теория контактного поля в барьерной структуре металл--полупроводниковая сверхрешетка
1257
Меркулов И.А., Родина А.В.
К теории формы линии и анизотропии линейной поляризации горячей фотолюминесценции в p-GaAs
1268
Дианов Е.М., Прохоров А.М., Трубенко П.А., Щербаков Е.А.
Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур Zn
1-x
Cd
x
Se/ZnSe на GaAs
1278
Моисеев А.Г., Энтин М.В.
Об электронной проводимости зеркально-симметричной неупорядоченной системы
1282
Андреев А.Н., Снегов Ф.М., Стрельчук А.М., Челноков В.Е.
Тиристоры на основе карбида кремния: некоторые особенности приборов и оценка возможных параметров
1287
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук