Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 7
Азимов С.А., Юнусов М.С., Нуркузиев Г.
Исследование кинетики спада фотопроводимости в кремнии, легированном осмием
1073
Глазов В.М., Кольцов В.Б., Куцова В.3., Регель А.Р., Сиротюк С.В., Таран Ю.Н., Фалькевич Э.С.
Оценка температуры структурного превращения при нагреве монокристаллов кремния на основе статистической теории растворов и метода псевдопотенциала
1080
Каваляускас Ю., Кривайте Г., Шаронова Л.В., Шилейка А., Шмарцев Ю.В.
Модуляционные спектры структур легированных квантовых ям GaAs-Al
0.3
Ga
0.7
As
1086
Андреева Е.В., Зильберман А.Б., Ильин Ю.Л., Махин А.В., Мошников В.А., Яськов Д.А.
Влияние этанола на электрофизические свойства диоксида олова
1095
Астратов В.Н., Власов Ю.А.
Экситонная фотолюминесценция приповерхностных квантовых ям в системе GaAs/AlGaAs
1101
Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б.
Радиационное воздействие дейтронов на приемники излучения из высокоомного кремния
1113
Берлов П.А., Буланый М.Ф., Коваленко А.В.
Исследование спектров фотолюминесценции пластически деформированных кристаллов ZnS
1121
Бедный Б.И., Байдусь Н.В.
Влияние рекомбинации в области пространственного заряда на люкс-вольтовые характеристики поверхностной фотоэдс в GaAs и InP
1125
Юнусов М.С., Каримов М., Оксенгендлер Б.Л., Хакимов М.
К вопросу о радиационном дефектообразовании в нейтронно-легированном кремнии
1130
Лебедева Н.Н., Орбух В.И., Зейналлы А.X.
Визуализация электрических неоднородностей в полуизолирующем арсениде галлия
1134
Пихтин А.Н., Тодоров М.Т.
Фотоотражение арсенида галлия
1139
Иванов П.А., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.П., Суворов А.В., Челноков В.Е.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC (000\=1)C
1146
Киндяк В.В., Киндяк А.С., Гременок В.Ф., Бондарь И.В., Рудь Ю.В., Медведкин Г.А.
Оптические константы лазеноосажденных пленок CuGaSe
2
вблизи фундаментального края поглощения
1154
Трофимов В.Т., Аббасов Г.3., Спрингхольц Г., Бауэр Г., Засавицкий И.И.
Энергетическая диаграмма гетероперехода Pb
1-x
Mn
x
Te/PbTe
1158
Арапов Ю.Г., Городилов Н.А., Кузнецов О.А., Неверов В.Н., Орлов Л.К., Рубцова Р.А., Харус Г.И., Чернов А.Л., Шелушинина Н.Г., Штрапенин Г.Л.
Осцилляции магнитосопротивления в напряженных сверхрешетках Ge/Ge
1-x
Si
x
в наклонном магнитном поле
1165
Абрамов А.П., Абрамова И.Н., Вербин С.Ю., Герловин И.Я., Григорьев С.Р., Игнатьев И.В., Каримов О.3., Новиков А.Б., Новиков Б.В.
Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs : Si, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1175
Алекперов О.3., Гамзаев Д.О., Кулибеков А.М., Сулейманов Р.А.
Анизотропия фотопроводимости в монокристаллах GeS
1180
Ашмонтас С., Градаускас И., Ширмулис Э.
Влияние смещения на фотоотклик кремниевых структур при освещении импульсации CO
2
-лазера
1185
Алешкин В.Я., Красильник 3.Ф., Ревин Д.Г.
Фотолюминесценция из квантовой ямы с высокой концентрацией фотоносителей
1190
Качурин Г.А., Тысченко И.Е.
Поведение бора и азота в приповерхностном слое кремния при синтезе захороненных слоев имплантацией ионов N
+
1194
Галиев В.И., Полупанов А.Ф.
Спектры энергии и оптического поглощения мелких примесей в полупроводниковой квантовой точке
1202
Никитина А.Г., Зуев В.В.
Особенности температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводнике, содержащем бистабильную U
-
-примесь
1211
Слободчиков С.В., Ковалевская Г.Г., Пенцов А.В., Салихов X.М.
Усиление фототока в диодных структурах Pd-SiO
2
-n(p)-Si
1213
Абдураимов А., Зайнабидинов С.3., Маматкаримов О.О., Химматкулов О.
Тензосвойства диодов с барьером Шоттки при всестороннем гидростатическом сжатии
1216
Нетяга В.В., Григорчак И.И., Ковалюк 3.Д.
Некоторые физические свойства GaSe<MeNO
2
> (Me=Na, K) и биинтеркалатов на их основе
1220
Абдурахманов К.П., Далиев X.С., Куликов Г.С., Лебедев А.А., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А.
Локальное геттерирование железа слоем металла, напыленного на поверхность кремния
1222
Шмелев Г.М., Железняк А.Т.
Фотостимулированные осцилляции экранированного вырожденным электронным газом кулоновского поля
1224
Карягин С.Н., Константинова Е.А., Лупачева А.Н.
Исследование влияния освещения на свойства парамагнитных дефектов в пленках аморфного гидрогенизированного карбида кремния переменного состава
1227
Кулибеков А., Фишер Р., Аллахвердиев К., Хаарер Д.
Двухфотонное поглощение пикосекундных лазерных импульсов в слоистом GeS
1229
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук