Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 4
Вертий А.А., Горбатюк И.Н., Иванченко И.В., Попенко Н.А., Пустыльник О.Д., Раренко И.М., Тарапов С.И.
Исследование объемных и поверхностных кинетических свойств кристаллов n-Hg
1-x
Cd
x
Te в области температур 0.5<T<50 K
585
Амиров Р.X., Зудеев О.Г.
Внутризонное излучение электронов в высокочастотном поле и неравновескные фононы
592
Пищалко В.Д., Толстихин В.И.
"Эффекты фононного узкого горла" при разогреве носителей заряда в полупроводниковых микроструктурах
602
Борисов В.И., Гореленок А.Т., Дмитриев С.Г., Любченко В.Е., Рехвиашвили Д.Н., Рогашков А.С.
Диоды Ганна на основе гетероструктуры n-InGaAs/n
+
-InP
611
Минтаиров А.М., Смекалин К.Е., Устинов В.М., Хвостиков В.П.
Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев n-Al
x
Ga
1-x
As
614
Буянов А.В., Гасан-заде С.Г., Жадько И.П., Зинченко Э.А., Романов В.А., Фридрих Е.С., Шепельский Г.А.
О спектральной зависимости фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в эпитаксиальных слоях Cd
x
Hg
1-x
Te/CdTe с анодно-окисленной свободной поверхностью
629
Яфясов А.М., Перепелкин А.Д., Божевольнов В.Б.
Исследование параметров зонной структуры приповерхностных слоев бесщелевых полупроводников (CdHg)Te и HgTe методом эффекта поля в электролитах
636
Глинский Г.Ф., Лупал М.В., Парфенова И.И., Пихтин А.Н.
Тонкая структуры A-линии связанного экситона в твердом растворе GaAs
x
P
1-x
:N
644
Бычковский Д.Н., Константинов О.В., Панахов М.М.
Методика определения разрыва зон на гетерогранице по измерениям вольт-фарадных характеристик m-s-гетероструктуры
653
Сырбу Н.Н., Камерцель А.Ю., Стамов И.Г.
Особенности валентных зон некоторых соединений A
II
B
V
669
Бринкевич Д.И., Маркевич В.П., Мурин Л.И., Петров В.В.
Кинетика образования термодоноров в кристаллах Si <Ge, O>
682
Завьялов В.В., Раданцев В.Ф., Дерябина Т.И.
Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg
1-x
Cd
x
Te
691
Асланов Г.К., Тагиев О.Б., Иззатов Б.М.
Изотермические и термоактивационные токи в монокристаллах CaGa
2
S
4
: Eu
703
Ильинский А.В., Куценко А.Б., Степанова М.Н.
Экранирование поля в p-i-n-структурах на основе арсенида галлия при приложении напряжения обедняющей полярности
710
Аврутин Е.А., Корольков В.И., Юрлов Н.Ю., Рожков А.В., Султанов А.М.
Динамические характеристики мощных импульсных GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов
719
Артамонов В.В., Валах М.Я., Громашевский В.Л., Нечипорук Б.Д., Стрельчук В.В., Юхимчук В.А.
Спектроскопия КРС ионно-имплантированных слоев GaAs
725
Куряева Р.Г., Киркинский В.А.
Спектры комбинационного рассеяния и фазовые переходы в AgAsS
2
под давлением
730
Гусев О.Б., Бреслер М.С., Зотова Н.В., Стусь Н.М.
Переход от гетороструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP
738
Блохин И.К., Холоднов В.А.
О влиянии неоднородности поглощения сигнального излучения на частотную характеристику высокоомного примесного фоторезистора
742
Жерздев А.В., Карпов В.Г., Певцов А.Б., Пилатов А.Г., Феоктистов Н.А.
Электролюминесценция в p-i-n-структурах на основе a-Si
1-x
C
x
: H
750
Аскеров Б.М., Кулиев Б.И., Панахов М.М.
Магнитосопротивление сверхрешеток в сильных полях
755
Городниченко О.К., Коваленко В.Ф., Прохорович А.В.
Деформационно-стимулированное изменение концентрации излучающих центров в арсениде галлия
759
Андрухив M.Г., Григорович Г.М., Бочкарева Л.В., Хляп Г.М., Шкумбатюк П.С.
Гетеропереходы ZnTe-PbS
761
Петросян С.Г., Шик А.Я.
Эффекты экранировки при образовании квазиодномерных электронных каналов
763
Гольдман Е.И.
Определение пространственного расположения локализованных электронных состояний и границы раздела полупроводник-диэлектрик
766
Винокуров Л.А., Залетаев Н.Б., Кочеров В.Ф., Фукс Б.И.
Растекание нестационарного фототока в Si<Ga>
770
Крючков С.В., Сыродоев Г.А.
Влияние процессов ионизации примесей на проводимость сверхрешетки в немонохроматическом поле
774
Громовой Ю.С., Пляцко С.В., Кадышев С.К.
Положение и зарядовое состояние примеси европия в решетке селенида свинца
778
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук