Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 9
Козырев С.В., Роткин В.В.
Фуллерен. Строение, динамика кристаллической решетки, электронная структура и свойства О б з о р
1409
Мастеров В.Ф.
Электронная структура примесей редкоземельных элементов в соединениях A
III
B
V
О б з о р
1435
Горбылев В.А., Залевский И.Д., Петров А.И., Чельный А.А., Аветисян Г.X., Куликов В.Б., Чукичев В.М., Юнович А.Э.
Инфракрасная фотопроводимость и люминесценция квантовых ям в многослойных гетероструктурах CaAs/AlGaAs
1453
Гершензон Е.М., Грачев С.А., Литвак-Горская Л.Б.
О роли H
+
2
-комплексов в оптимизации n-InSb-смесителей миллиметрового диапазона волн
1464
Голикова О.А., Домашевская Э.П., Мавлянов X.Ю., Терехов В.А., Тростянский С.Н.
Плотность дефетктов в приповерхностной области слоев аморфного гидрированного кремния
1468
Журавлев К.С., Якушева Н.А., Шамирзаев Т.С., Погадаев В.Г., Шегай О.А.
Влияние легирования гадолинием висмутового раствора-расплава на остаточные примеси в эпитаксиальном GaAs
1473
Бер Б.Я., Быстров С.Б., Зушинский Д.А., Корнякова О.В., Туан Ле, Новиков С.В., Савельев И.Г., Третьяков В.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In
0.52
Al
0.48
As методом жидкофазной эпитаксии при низких температурах (~ 650
o
C)
1480
Морозов С.В., Дубровский Ю.В.
Нелинейное поведение осциллящии Шубникова-де-Гааза в сильных электрических полях в короткоканальных Al
x
Ga
1-x
As/GaAs-гетероструктурах
1484
Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Становов О.Н.
Осцилляции фотопроводимости и особенности релаксационной кинетики в a-Si : H
1489
Урманов Н.А., Степанова М.Н.
Изотермическая и термостимулированная релаксация тока и емкости в слабо асимметричном p-n-переходе с неоднородным профилем легирования n- и p-областей
1495
Гасан-заде С.Г., Богобоящий В.В., Жадько И.П., Зинченко Э.А., Шепельский Г.А.
Особенности температурных и спектральных характеристик фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в p-Cd
x
Hg
1-x
Te при низких температурах
1508
Гуткин А.А., Рещиков М.А., Сосновский В.Р.
Исследование комплекса V
Ga
Sn
Ga
в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пьезоспектроскопии I. Строение комплекса и его переориентация при низких одноосных давлениях
1516
Гуткин А.А., Рещиков М.А., Сосновский В.Р.
Исследование комплекса V
Ga
Sn
Ga
в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пьезоспектроскопии II. Явление двухступенчатого выстраивания
1526
Урманов Н.А., Гафурова М.В.
Аномальные (с двумя максимумами) пики в спектрах токовой спектроскопии в p-n-структуре, связанные с одним типом глубоких состояний
1535
Грицюк Б.Н., Раренко А.И., Сирота А.В., Халамейда Д.Д.
Изменение гальваномагнитных свойств нелегированного антимонида кадмия при естественном старении
1541
Емцев В.В., Машовец Т.В., Оганесян Г.А., Шмальц К.
Образование двойных термодоноров в Cz-Si с различной концентрацией кислорода
1545
Емцев В.В., Оганесян Г.А., Шмальц К.
Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке
1549
Закиров А.С., Игамбердыев X.Т., Мамадалимов А.Т., Хабибуллаев П.К.
Особенности температурной зависимости фотопроводимости кремния, легированного золотом
1556
Ивченко Е.Л., Киселев А.А., Зу Н., Вилландер М.
Бистабильность туннельного тока и фотолюминесценция в трехбарьерной структуре
1561
Прокопьев Е.П.
Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в полупроводниках
1569
Урманов Н.А., Гафурова М.В.
Влияние начального заполнения глубоких центров на положение пика термостимулированного тока в n
+
-p-переходе с произвольным отношением концентраций мелких и глубоких центров
1572
Богословская А.Б., Колчанова Н.М., Маняхин Ф.И., Попов А.А., Сукач Г.А.
Исследование распределения примеси в области гетерограницы p-GaInAsSb/p-GaAlAsSb
1574
Терехов В.А., Селезнев В.Н., Домашевская Э.П.
О влиянии электронного пучка на энергетическое распределение локализованных состояний в аморфном нитриде кремния
1577
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук