Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 9

Электронные свойства полупроводников

Филатов Д.О., Зимовец И.А., Исаков М.А., Кузнецов В.П., Корнаухов А.В.

Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии

1153

Шалдин Ю.В., Matyjasik S.

Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника AlN в области 4.2--300 K

1159

Ижнин И.И., Ижнин А.И., Фицыч Е.И., Смирнова Н.А., Денисов И.А., Поцяск М., Мынбаев К.Д.

Исследование структуры дефектов в пленках Cd_xHg_1-xTe, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощью низкоэнергетической ионной обработки

1166

Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Яцун В.В., Насибов А.С., Шапкин П.В.

Влияние примеси железа на люминесценцию и фотопроводимость кристаллов ZnSe в видимой области спектра

1171

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Корбутяк Д.В., Лоцько А.П., Вахняк Н.Д., Демчина Л.А., Конакова Р.В., Миленин В.В., Редько Р.А.

Влияние СВЧ-облучения на фотолюминесценцию связанных экситонов в монокристаллах CdTe : Cl

1175

Соболев Н.А., Калядин А.Е., Кютт Р.Н., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Афросимов В.В., Тетельбаум Д.И.

Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами

1182

Лебедев А.А., Козловский В.В., Белов С.В., Богданова Е.В., Оганесян Г.А.

Компенсация проводимости p-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ

1188

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Ерофеев Е.В., Кагадей В.А.

Влияние термообработки на параметры контактов металл--полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности n-GaAs

1191

Ильинский А.В., Квашенкина О.Е., Шадрин Е.Б.

Металлизация гидрированием моноклинной фазы в пленках VO₂

1197

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кванин А.Л., Пушкарев С.С., Пушкин М.А.

Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76-100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами

1203

Егоров А.Ю., Крыжановская Н.В., Соболев М.С.

Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaP_xN_yAs_1-x-y

1209

Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пожела К., Пожела Ю., Юцене В., Сужеделис А., Жураускене Н., Кершулис С., Станкевич В.

Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/ InAlAs

1214

Целиков Г.И., Дорофеев С.Г., Тананаев П.Н., Тимошенко В.Ю.

Особенности фотолюминесцентных свойств квантовых точек селенида кадмия с примесью меди

1219

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Джалилов Н.З., Дамиров Г.М.

Спектры оптических параметров в массивных и пленочных аморфных твердых растворах системы Se₉₅As₅, содержащих примеси самария (Sm)

1223

Леньшин А.С., Кашкаров В.М., Середин П.В., Спивак Ю.М., Мошников В.А.

Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках n- и p-типа, методами XANES и ИК спектроскопии

1229

Бачериков Ю.Ю., Индутный И.З., Охрименко О.Б., Оптасюк С.В., Шепелявый П.Е., Пономаренко В.В.

Распределение наночастиц CdSe, синтезированных в пористой матрице SiO_x

1235

Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Бланк В.Д., Буга С.Г., Попов М.Ю.

Термоэлектрические свойства нанокомпозитов теллурида висмута с фуллеренами

1241

Углеродные системы

Ктиторов С.А., Кузьмин Ю.И., Фирсова Н.Е.

Электронные состояния в однослойном графене с короткодействующими дефектами. Сепарабельный в импульсном представлении потенциал

1246

Физика полупроводниковых приборов

Jinrong pu, Jiuxun Sun, Da Zhang

An accurate polynomial-based analytical charge control model for AlGaN/GaN HEMT

1252

Lenka T.R., Panda A.K.

Role of nanoscale AlN and InN for the microwave characteristics of AlGaN/(Al,In)N/GaN-based HEMT

1258

Солдатенков Ф.Ю, Сорокина С.В., Тимошина Н.Х., Хвостиков В.П., Задиранов Ю.М., Растегаева М.Г., Усикова А.А.

Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия

1266

Винокуров Д.А., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Станкевич А.Л., Шамахов В.В., Бондарев А.Д., Рудова Н.А., Тарасов И.С.

Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs

1274

Tsai Jung-Hui, Guo Der-Feng, Lour Wen-Shiung

Comparative investigation of InGaP/GaAs pseudomorphic field-effect transistors with triple doped-channel profiles

1279

Еремин В.К., Налетко А.С., Вербицкая Е.М., Еремин И.В., Егоров Н.Н.

Распределение электрического поля в p-n-переходах кремниевых детекторов с торцевой чувствительностью

1282

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Таллерчик Б.А., Бойко С.Б., Штельмах С.В.

Синтез халькогенидов свинца, мышьяка и висмута с жидкостным капсулированием

1290

Учредители

Издатель