Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 7
Свечникова Т.Е., Коржуев М.А., Максимова Н.М., Константинов П.П., Алексеева Г.Т.
Анизотропия коэффициента Холла и электросопротивления монокристаллов Bi
2
Te
2.85
Se
0.15
, легированных германием
1153
Ашмонтас С., Сужеделис А.
Исследование контактов малой площади различных металлов к германию дырочной проводимости
1163
Сукач Г.А.
Радиационно-стимулированное преобразование излучательных экситонных комплексов, связанных с азотом, в p-n-структурах на основе GaP : N
1170
Белогорохов А.И., Караванский В.А., Белогорохова Л.И.
Взаимосвязь между сигналом фотолюминесцеции и поверхностными состояниями пористого кремния, в том числе ''свободных'' пленок пористого кремния
1177
Маркевич В.П., Мурин Л.И.
Водородсодержащий центр с отрицательной корреляционной энергией в кремнии
1186
Горшков А.В., Бовина Л.А., Стафеев В.И.
Общие закономерности диффузии примесей в Cd
0.2
Hg
0.8
Te
1192
Бормонтов Е.Н., Головин С.В., Котов С.В., Лукин С.В.
Методика быстрого определения поверхностных параметров планарно-неоднородных МДП структур
1205
Бакиров М.Я.
Эффекты пассивации и фотолюминесценции в кремниевых солнечных элементах с оптическими покрытиями
1213
Глинчук К.Д., Гурошев В.И., Прохорович А.В.
Некоторые характеристики индуцированных радиационно-термическим воздействием пар As
i
Zn
Ga
в p-GaAs(Zn)
1218
Мосейчук А.Г.
Экспериментальное моделирование неоднородной по площади поверхностной генерации носителей заряда в МДП структурах
1225
Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В.
Аномальный эффект Шоттки на границе раздела полупроводник--диэлектрик
1231
Боднарук О.А., Вертий А.А., Иванченко И.В., Попенко Н.А., Тарапов С.И., Горбатюк И.Н., Раренко И.М.
Комплексное исследование узкощелевых полупроводников типа p-Mn
x
Hg
1- x
Te
1236
Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Попов А.А., Яковлев Ю.П.
Неоднородности генерации в заращенных канальных лазерах с активной областью p-GaInAsSb
1244
Сабликов В.А., Поляков С.В., Рябушкин О.А.
О механизме низкотемпературного примесного пробоя
1251
Данилова Т.Н., Ершов О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
1265
Коротченков О.А.
Об идентификации точечных дефектов вблизи границы раздела полупроводников посредством возмущения акустической волной
1274
Гулямов Г.
Электродвижущая сила кремниевых p- n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле
1279
Немов С.А., Прошин В.И., Абайдулина Т.Г.
Влияние квазилокальных состояний In на дефектообразование в PbTe
1285
Мнацаканов Т.Т., Шуман В.Б.
Оценка влияния эффектов сильного легирования и высокого уровня инжекции на фотовольтаический эффект в p
+
-- n-- n
+
-структурах с вертикальными переходами
1293
Давыдов С.Ю., Тихонов С.К.
Модель Китинга--Харрисона для описания упругих свойств широкозонных полупроводников
1300
Быковский В.А., Коршунов Ф.П., Солодовников Е.С., Утенко В.И., Шох В.Ф.
Излучательная рекомбинация и примесно-дефектное взаимодействие в ядерно-легированном арсениде галлия, полученном в различных условиях облучения и роста кристаллов
1304
Дроздов С.В., Кипшидзе Г.Д., Лебедев В.Б., Новиков С.В., Шаронова Л.В., Шик А.Я., Жмерик В.Н., Кузнецов В.М., Андрианов А.В., Гуревич А.М., Зиновьев Н.Н., Foxon C.T., Cheng T.S.
Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-лучевой эпитаксии GaN
1313
Покутний С.И.
Спектр квантово-размерной электронно-дырочной пары в полупроводниковых нанокристаллах
1320
Вязовский М.В., Сыродоев Г.А.
Увлечение электронов солитонами в сверхрешетках во внешнем магнитном поле
1324
Альварес Х.К., Векслер М.И., Грехов И.В., Н.С., Шулекин А.Ф.
Электрофизические характеристики структур Au/CaF
2
/ n -Si< 111> с супертонкими (менее 20 нм) слоями CaF
2
, выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1328
Феоктистов Н.А., Певцов А.Б., Косарев А.И.
Исследование поверхностной рекомбинации в p- i- n-структурах на основе аморфного гидрированного кремния
1335
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук