Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 9
Борблик В.Л., Грибников З.С.
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
1537
Ахметов В.Д., Болотов В.В.
Поведение примесей бора и фосфора в кремнии при облучении нейтронами и последующих отжигах
1556
Якимкин В.Н., Ушаков В.В., Гиппиус А.А., Вавилов В.С., Седельников А.Э., Дравин В.А., Черняев В.В., Пономарев Н.Ю.
Лазерный отжиг имплантрованного GaAs. Роль имплантационных дефектов
1563
Шовкун Д.В.
О влиянии магнитопримесных резонансов на фотопроводимость p-Ge
1569
Аникин М.М., Левинштейн М.Е., Попов И.В., Растегаев В.П., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л.
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
1574
Константинова Н.Н., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Фазовый переход халькопирит<-=_> сфалерит в полупроводниках II-IV-V
2
1580
Барановский С.Д., Гельмонт Б.Л., Де Андрада е Силва Е.А., Да Кунья Лима И.К.
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
1585
Анисимова Н.П., Глобус Т.Р., Олеск С.А.
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
1590
Мозоль П.Е., Скубенко Н.А., Скубенко П.А., Гнатенко Ю.П., Сальков Е.А., Ковалюк З.Д.
Влияние лазерного облучения на низкотемпературные спектры фотопроводимости и фотолюминесценции селенида галлия
1595
Ковалев А.Н., Остробородова В.В., Фоломин П.И.
Глубокие уровни в запрещенной зоне нелегированного PbTe
1601
Ерошкин А.В., Лактюшкин В.Н.
Исследование неидеальных гетеропереходов кремний--арсенид галлия методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней
1604
Васецкий В.М., Порошин В.Н., Сарбей О.Г., Саркисян Э.С.
Нелинейное поглощение ИК излучения в дырочном германии при низких температурах
1610
Бразис Р.С., Кунигелис А.А.
Одночастотный режим вынужденного излучения в кристаллах p-Ge в полях E
0
|| B
0
||<100>
1614
Пищалко В.Д., Толстихин В.И.
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
1617
Жарекешев И.Х.
Анизотропия прыжкового магнитосопротивления n-Ge
1623
Андреев В.М., Еремин В.К., Строкан Н.Б.
Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле p-n-перехода
1629
Резников Б.И., Стамкулов А.А., Таурбаев Т.И., Царенков Б.В., Царенков Г.В.
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
1634
Резников Б.И., Стамкулов А.А., Таурбаев Т.И., Царенков Б.В., Царенков Г.В.
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза II. Эксперимент
1640
Руменин Ч.С.
Роль шнурования тока в магниточувствительности планарных магнитотранзисторов
1647
Горбенко Н.В., Косяченко Л.А., Махний В.П., Шейнкман М.К.
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
1651
Брандт Н.Б., Ковалюк З.Д., Кульбачинский В.А.
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
1657
Рыльков В.В.
Захват дырок на отрицательно заряженные атомы бора в легированном слабо компенсированном кремнии при низких температурах
1661
Демишев С.В., Косичкин Ю.В., Ларчев В.И., Ляпин А.Г., Попова С.В., Скроцкая Г.Г., Случанко Н.Е.
Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия
1666
Галванаускас А., Гореленок А., Добровольскис З., Кершулис С., Пожела Ю., Реклайтис А., Шмидт Н.
Явления переноса и сплавное рассеяние в соединениях In
1-x
Ga
x
As
y
P
1-y
1672
Кистович Ю.В.
Дисперсия косых медленных поверхностных магнитоплазменных волн
1678
Сидорин В.В.
Бесконтактное измерение концентрации и подвижности свободных носителей заряда в полупроводниках
1680
Агринская Н.В.
Термическая энергия ионизации мелких доноров и акцепторов в кристаллах CdTe
1684
Брайтенштайн О., Конончук О.В., Панин Г.Н., Хайденрайх Й., Якимов Е.Б.
Исследование теллурида кадмия методом сканирующей спектроскопии глубоких уровней
1687
Бразис Р.С., Мишкинис Р.А., Рутковский П.Ф.
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
1689
Веренчикова Р.Г., Санкин В.И.
Влияние термического отжига на свойства барьеров Шоттки Cr-SiC n- и p-типа электропроводности
1692
Крючков С.В., Сыродоев Г.А.
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
1695
Стельмах О.Б., Чекурин В.Ф.
Поверхностная релаксация энергии и эффект Бенедикса в полупроводниках
1698
Константинова Н.Н., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI
2
-электролит
1699
Картавых А.В., Марков А.В.
О связи концентрации глубоких центров EL2 и плотности дислокаций в полуизолирующем GaAs
1702
Федосов А.В., Тимощук В.С., Ящинский Л.В.
Об определении параметра анизотропии подвижности в n-Si
1704
Быков А.А., Квон З.Д., Ольшанецкий Е.Б.
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
1706
Капустин Ю.А., Колокольников Б.М., Свешников А.А., Злобин В.П.
Электрические свойства дефектов, образующихся при импульсном фотонном отжиге кремния
1708
Герчиков Л.Г., Соловьев А.В.
Внутризонное поглощение света в полупроводниках при рассеянии электронов проводимости на короткодействующих потенциалах
1710
Гольдберг Ю.А., Львова Т.В., Хасиева Р.В., Царенков Б.В.
Зависимость сопротивления омического контакта полупроводник--металл от ширины запретной зоны полупроводника
1712
Джаксимов Е.
К теории фотостимулированных гальваномагнитных эффектов в полупроводниках
1713
Аннотации депонированных статей
1715
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
1721
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук