Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1998, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, выпуск 7
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Суворова А.А., Чалдышев В.В., Werner P.
Структура слоев индия в низкотемпературном арсениде галлия и ее изменение при отжиге в интервале температур 500--700
o
C
769
Немов С.А., Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Осипов П.А., Прошин В.И.
Особенности электрической компенсации примеси висмута в PbSe
775
Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В., Фалеев Н.Н.
Влияние изовалентного легирования индием на избыток мышьяка в арсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
778
Электронные и оптические свойства полупроводников
Романюк О.С., Паранчич С.Ю., Паранчич Л.Д., Макогоненко В.Н.
Стабилизация физических свойств твердых растворов Cd
x
Hg
1-x
Se, легированных железом
782
Дарчук С.Д., Дитл Т., Коровина Л.А., Колесник С., Савицкий М., Сизов Ф.Ф.
Фазовые состояния и магнитная структура сверхпроводящих включений свинца в узкощелевой полупроводниковой матрице
786
Журавлев К.С., Шамирзаев Т.С., Якушева Н.А.
Свойства легированных марганцем слоев арсенида галлия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута
791
Одноблюдов М.А., Чистяков В.М.
Расчет энергетических уровней мелкого акцептора в одноосно-деформированном германии
799
Казакова Л.П., Лебедев Э.А.
Влияние примесей металлов на дрейфовую подвижность носителей заряда в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
803
Алексеева Г.Т., Ведерников М.В., Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И.
Донорное действие редкоземельных металлов в PbTe
806
Алексеенко М.В., Забродский А.Г., Штеренгас Л.М.
Вклад легких дырок в эффект Холла для сложной валентной зоны германия и его зависимость от уровня легирования
811
Джандиери К.М., Качлишвили В.С.
Исследование нелинейной динамики переноса в компенсированом полупроводнике при низкотемпературном электрическом пробое путем компьютерного моделирования
821
Голубков А.В., Дубровский Г.Б., Шелых А.И.
Получение и свойства монокристаллов дисульфида германия
827
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В., Гременок В.Ф., Образцова О.С., Сергеев-Некрасов С.Л.
Фотовольтаический эффект в поверхностно-барьерных структурах In/тонкие пленки I--III--VI
2
829
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Андреев А.Н., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А.
К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов
832
Решина И.И., Планель Р.
Донорно-акцепторная рекомбинация в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs, легированных кремнием
839
Низкоразмерные системы
Зегря Г.Г., Гунько Н.А.
Теоретическое исследование пороговых характеристик лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN
843
Воробьев Л.Е., Зибик Е.А., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Нащекина О.Н., Сайдашев И.И.
Модуляция оптического поглощения квантовых ям GaAs / AlGaAs в поперечном электрическом поле
849
Воробьев Л.Е., Титков И.Е., Торопов А.А., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Шубина Т.В., Towe E.
Поглощение и преломление света при межподзонных переходах горячих электронов в связанных квантовых ямах GaAs / AlGaAs
852
Мусихин С.Ф., Ильин В.И., Рабизо О.В., Шаронова Л.В., Бакуева Л.Г.
Поглощение света в непериодических сверхрешетках PbS/C в электрическом поле
857
Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Крыжановский А.К., Бойко А.М., Сурис Р.А., Титков А.Н., Накамура А., Ичида М.
Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении [010]
860
Мирлин Д.Н., Перель В.И., Решина И.И.
Рассеяние горячих электронов нейтральными акцепторами в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlAs
866
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Голикова О.А., Кудоярова В.Х.
Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния
876
Машин А.И., Ершов А.В., Хохлов Д.А.
Влияние условий получения и отжига на оптические свойства аморфного кремния
879
Физика полупроводниковых приборов
Пипинис П.А., Римейка А.К., Лапейка В.А.
Температурная зависимость обратного тока в диодах с барьером Шоттки
882
Воронков В.Б., Гук Е.Г., Козлов В.А., Шварц М.З., Шуман В.Б.
Использование твердофазного прямого сращивания кремния для формирования структур солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами
886
Белов С.В., Лебедев А.А.
Импульсные исследования диодных структур на основе кремний-водородных пленок
889
Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Копчатов В.И., Лунев А.В., Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С.
Исследование приборных характеристик низкопорогового лазера на квантовых точках, излучающего на 1.9 мкм
892
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme