Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, выпуск 4

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д.

Влияние рода и концентрации мелких примесей на микротвердость и фотомеханический эффект в полупроводниках

385

Пляцко С.В., Бергуш Н.Н.

Лазерная эпитаксия гетероструктур HgCdTe/Si

387

Электронные и оптические свойства полупроводников

Винославский М.Н., Кравченко А.В.

Излучение горячих носителей при образовании высокополевых автосолитонов в электронно-дырочной плазме в n-Ge

390

Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Прохорович А.В., Стрильчук О.Н.

Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs

396

Клименко И.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Наливайко Д.П.

Релаксационный характер диэлектрического отклика кристаллов Cd_1-xZn_xTe, выращенных из расплава

403

Мнацаканов Т.Т., Поморцева Л.И., Юрков С.Н.

Полуэмпирическая модель подвижности носителей заряда в карбиде кремния для анализа ее зависимости от температуры и легирования

406

Чумачкова М.М., Ройцин А.Б.

Дипольные моменты лигандов и штарковское расщепление уровней редкоземельных ионов

410

Никонюк Е.С., Захарук З.И., Шляховый В.Л., Фочук П.М., Раренко А.И.

Механизмы вхождения примеси сурьмы в кристаллы теллурида кадмия

417

Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Ляпин Э.Р., Сарайкин В.В., Хабаров Ю.В.

Исследование электрофизических и оптических свойств delta-легированных кремнием слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [211] поверхностях (111)A GaAs

421

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Велиховский Л.Э.

Использование амфотерности примесных атомов кремния для получения планарных p-n-переходов на подложках GaAs с ориентацией (111)A методом молекулярно-лучевой эпитаксии

427

Соловьев В.А., Седова И.В., Торопов А.А., Терентьев Я.В., Сорокин С.В., Мельцер Б.Я., Иванов С.В., Копьев П.С.

Структурные, люминесцентные и транспортные свойства гибридных гетероструктур AlAsSb / InAs / Cd(Mg)Se, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

431

Васильев Р.Б., Гаськов А.М., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Акимов Б.А.

Состояния на границе раздела и вольт-фарадные характеристики гетероструктур n-SnO₂(Ni)/p-Si в условиях газовой адсорбции

436

Венгер Е.Ф., Конакова Р.В., Охрименко О.Б., Сапко С.Ю., Шеховцов Л.В., Иванов В.Н.

Переходный слой в контактах Шоттки TiB₂--GaAs и Au--TiB₂--GaAs

439

Иванов Ю.Л., Елизаров И.В., Устинов В.М., Жуков А.Е.

Латеральный транспорт горячих дырок в двумерной структуре GaAs/Al_0.3Ga_0.7As

445

Низкоразмерные системы

Аронзон Б.А., Бакаушин Д.А., Веденеев А.С., Давыдов А.Б., Мейлихов Е.З., Чумаков Н.К.

Проводимость электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрик--металл

448

Глазов С.Ю., Крючков С.В.

Плазменные колебания в двумерных полупроводниковых сверхструктурах в присутствии сильного электрического поля

456

Сапега В.Ф., Мирлин Д.Н., Руф Т., Кардона М., Винтер В., Эберл К.

Индуцированные магнитным полем переходы между минизонами в сверхрешетках GaAs/Al_xGa_1-xAs

460

Физика полупроводниковых приборов

Рыжков В.Н., Ибрагимова М.И., Барышев Н.С.

Влияние импульсного лазерного отжига на параметры фоторезисторов на основе Cd_xHg_1-xTe

464

Стоянов Н.Д., Михайлова М.П., Андрейчук О.В., Моисеев К.Д., Андреев И.А., Афраилов М.А., Яковлев Ю.П.

Фотодиоды на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1.5--4.8 мкм

467

Есаев Д.Г., Синица С.П.

Фотоэлектрические характеристики инфракрасных фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью

474

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Малинин Ю.Г.

Гашение тока светом в диодных структурах p-Si--n⁺-ZnO--n-ZnO--Pd

479

Иванов П.А., Самсонова Т.П., Пантелеев В.Н., Поляков Д.Ю.

Исследование глубоких ловушек на интерфейсе SiO₂/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля

482

Абрамов И.И., Новик Е.Г.

Учет фонового заряда на "островке" при моделировании одноэлектронных транзисторов

489

Лисица М.П., Моцный Ф.В., Моцный В.Ф., Прокопенко И.В.

Влияние ростовых дислокаций на структуру, фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев i-n^--n-n⁺-GaAs и параметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов на их основе

492

Иванов А.М., Строкан Н.Б., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Лебедев А.А., Миронов Ю.Т., Рябов Г.А., Иванов Е.М.

Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов к воздействию релятивистских протонов

495

Захаров С.М.

Перекрестное взаимное тепловое влияние в матрицах поверхностно излучающих лазеров с << вертикальным>> выводом излучения

499

Учредители

Издатель