Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 5
Вывенко О.Ф., Давыдов И.А., Одринский А.П., Теплицкий В.А.
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия глубоких уровней в монокристаллах CdS с заданными в процессе роста отклонениями от стехиометрии
721
Андреев А.Н., Аникин М.М., Лебедев А.А., Полетаев Н.К., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
Связь <<дефектной>> электролюминесценции в 6 H-SiC с глубокими центрами
729
Голант Е.И., Пашковский А.Б., Тагер А.С.
Прохождение электронов через потенциальные барьеры в высокочастотных полях
740
Нифтиев Н.Н., Рустамов А.Г., Тагиев О.Б.
Фотопроводимость монокристаллов MnIn
2
S
4
752
Ждан А.Г., Маркин Ю.В.
Эффекты релаксации области пространственного заряда полупроводника при термостимулированной деполяризации МДП структур
756
Идлис Б.Г., Усманов М.Ш.
Электронный спектр двух- и трехмерных квантовых ям на основе узкощелевых полупроводников
767
Масловский В.М., Климов Ю.А., Самсонов Н.С., Симанович Е.В.
Изменения электрофизических параметров систем Si--SiO
2
, индуцированные импульсным магнитным полем
772
Буланый М.Ф., Клименко В.И., Лихошва А.В.
Термостимулированная проводимость в пластически деформированных кристаллах ZnS--Cu, Mn
778
Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Стряхилев Д.А., Кудоярова-=SUP=-*-=/SUP=- В.Х.
Анализ инфракрасных спектров сплавов a-SiN
r
:H с использованием индукционной модели
781
Игнатьев А.С., Каминский В.Э., Копылов В.Б., Немцев Г.З.
Статические характеристики псевдоморфного селективно-легированного полевого транзистора
790
Островский И.В., Сайко С.В., Савкина Р.К.
Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs
796
Гасан-заде С.Г., Жадько И.П., Зинченко Э.А., Сочинский Н.В., Шепельский Г.А.
Особенности фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в эпитаксиальных слоях Mn
x
Hg
1-x
Te при низких температурах
802
Сысоев Б.И., Линник В.Д., Титов С.А.
Электрофизические свойства гетероструктур InP--In
2
S
3
808
Скипетров Е.П., Некрасов А.Н., Хорош А.Г.
Влияние облучения электронами на электрофизические свойства сплавов Pb
1- x
Sn
x
Te <In>
815
Пашук А.В., Фурсенко Т.А.
Исследование гетероструктур InP/InGaAs методом фотоэдс с использованием органической жидкости
826
Гуревич С.А., Екимов А.И., Кудрявцев И.А., Люблинская О.Г., Осинский А.В., Усиков А.С., Фалеев Н.Н.
Исследование закономерностей роста нанокристаллов CdS в силикатном стекле и в тонких пленках SiO
2
на начальных стадиях фазового распада твердого раствора
830
Дымников В.Д., Константинов О.В.
Время жизни квазистационарного состояния электрона в двухбарьерной гетероструктуре
844
Кольченко Т.И., Ломако В.М.
Новый метастабильный центр в облученном GaAs
857
Левченко В.И., Постнова Л.И., Дикарева В.В.
Некоторые особенности абсорбции кислорода пленками сульфида свинца
861
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Светоуправляемые электрические поля в высокоомной МПМ структуре при наличии глубоких примесных уровней. 2. Большие интенсивности
867
Грибников З.С.
Ограниченный пространственным зарядом баллистический транспорт электронов со сложными законами дисперсии
880
Казанский А.Г., Яркин Д.Г.
Исследования дрейфовой подвижности электронов в a-Si:H, легированном фосфором
891
Вавилов В.С., Резванов Р.Р., Чукичев М.В.
Катодолюминесценция CdTe:Fe
897
Алиев К.М., Баширов Р.И., Гаджиалиев М.М.
Автосолитоны в температурно-неоднородной плазме германия
900
Леденцов,-=SUP=-*-=/SUP=- Н.Н., Гурьянов Г.М., Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Самсоненко Ю.Б., Голубок А.О., Типисев С.Я.
Влияние условий термической обработки на морфологию поверхности арсенида галлия, выращенного на вицинальных подложках GaAs(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
904
Осадчий В.М.
Нестационарный перенос горячих электронов в квантовых проволоках с рассеянием на полярных оптических фононах при низких температурах
908
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук