Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1998, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, выпуск 10
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Ардышев В.М., Ардышев М.В.
Активация и распределение кремния, имплантированного в арсенид галлия, при изотермическом радиационном отжиге
1153
Богданов К.П., Димитров Д.Ц., Луцкая О.Ф., Таиров Ю.М.
Равновесие собственных точечных дефектов в диоксиде олова
1158
Чалдышев В.В., Берт Н.А., Куницын А.Е., Мусихин Ю.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В., Werner P.
Сверхрешетка кластеров мышьяка в арсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре
1161
Электронные и оптические свойства полупроводников
Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Спирин А.И., Буслов В.А., Сушков С.А.
Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью
1165
Брунков П.Н., Чалдышев В.В., Берт Н.А., Суворова А.А., Конников С.Г., Черниговский А.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.
Аккумуляция электронов в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре и содержащих кластеры мышьяка
1170
Кацавец Н.И., Laws G.M., Harrison I., Larkins E.C., Benson T.M., Cheng T.S., Foxon C.T.
Исследование тонких пленок GaN, подвергнутых кратковременному высокотемпературному отжигу
1175
Юнович А.Э.
Дивакансии азота --- возможная причина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия
1181
Журавлев К.С., Шамирзаев Т.С., Якушева Н.А., Петренко И.П.
Новый центр рекомбинации в сильно легированном цинком арсениде галлия, полученном методом жидкофазной эпитаксии
1184
Немов С.А., Прошин В.И., Нахмансон С.М.
Влияние добавок In на кинетические коэффициенты в твердых растворах (Pb
z
Sn
1-z
)
0.95
Ge
0.05
Te
1190
Булярский С.В., Грушко Н.С., Лакалин А.В.
Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p-n-перехода
1193
Тулупенко В.Н.
Об экспериментальном определении поправок к функции распределения горячих дырок в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях
1197
Лукашевич П.Г.
Влияние неоднородности пространственного распределения неравновесных носителей на спектры краевого излучения прямозонных полупроводников
1200
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Агекян В.Ф., Иванов--Омский В.И., Князевский В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs
1203
Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М.
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов GaN/GaP
1206
Махний В.П., Слетов М.М.
Фотолюминесценция области пространственного заряда контактов металл--селенид цинка
1210
Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Шашкин В.В., Торопов А.И.
Природа глубоких уровней, ответственных за эффект фотоэлектрической памяти в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs
1213
Низкоразмерные системы
Аверкиев Н.С., Голуб Л.Е., Пикус Г.Е.
Слабая локализация в квантовых ямах p-типа
1219
Брунков П.Н., Суворова А.А., Берт Н.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Конников С.Г., Ивс Л., Майн П.С.
Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au / n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых точек InAs
1229
Бугров В.Е., Константинов О.В.
Учет кулоновского взаимодействия электронов и дырок в квантовых точках на основе InGaN
1235
Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А., Молдавская М.Д.
Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge
1-x
Si
x
1240
Пожела Ю., Пожела К.
Разность потенциалов и фотовольтаический эффект, возникающие вследствие деформации волновой функции электрона в GaAs-квантовой яме с тонким AlGaAs-барьером
1246
Аверкиев Н.С., Монахов А.М., Шик А.Я., Koenraad P.M.
Влияние частичного упорядочения двумерной системы рассеивателей на анизотропию кинетических коэффициентов
1251
Алешкин В.Я., Звонков Б.Н., Малкина И.Г., Сафьянов Ю.Н., Филатов Д.О., Чернов А.Л.
Поляризация фотолюминесценции вдоль плоскости квантово-размерных слоев структур InAs / Ga(In)As, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
1254
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Ершов А.В., Машин А.И., Хохлов А.Ф.
Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки a-SiGe
1260
Коугия К.В., Певцов А.Б.
Долговременные структурные релаксации и фотоиндуцированная деградация в a-Si : H
1263
Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В.
Влияние гетерогенности материала на кинетику фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
1266
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Казанин М.М.
Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах
1269
Физика полупроводниковых приборов
Иванов С.В., Торопов А.А., Сорокин С.В., Шубина Т.В., Ильинская Н.Д., Лебедев А.В., Седова И.В., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Лугауэр Х.Д., Решер Г., Кайм М., Фишер Ф., Вааг А., Ландвер Г.
Молекулярно-пучковая эпитаксия переменно-напряженных многослойных гетероструктур для сине-зеленых лазеров на основе ZnSe
1272
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme