Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 12
Алфёров Ж.И., Гарбузов Д.З., Денисов А.Г., Евтихиев В.П., Комиссаров А.Б., Сеничкин А.П., Скороходов В.Н., Токранов В.Е.
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2105
Алфёров Ж.И., Гарбузов Д.З., Жигулин С.Н., Кузьмин И.А., Орлов Б.Б., Синицын М.А., Стругов Н.А., Токранов В.Е., Явич Б.С.
Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации
2111
Засавицкий И.И., Ковальчик Л., Мацонашвили Б.Н., Сазонов А.В.
Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа A
IV
B
VI
2118
Соколова З.Н., Халфин В.Б., Эфрос Ал.Л.
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
2124
Кондратьева О.Г., Неустроев Л.Н., Осипов В.В.
Поперечная фотопроводимость легированной сверхрешетки
2131
Фурман А.С.
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
2138
Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Заяц А.В.
Излучательная рекомбинация носителей в полупроводниках с участием бинарных комплексов дефектов
2146
Генкин Г.М., Окомельков А.В., Токман И.Д.
Инверсия населенностей в узкощелевых полупроводниках при фотонакачке
2151
Глазов В.М., Фараджов А.И.
Исследование электронных свойств полупроводникового соединения Sb
2
Se
3
в области фазового перехода кристалл--расплав (включая жидкую фазу)
2156
Крещук А.М., Лаурс Е.П., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Сайдашев И.И., Семашко Е.М.
Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
2162
Котина И.М., Курятков В.В., Новиков С.Р., Прокофьева Т.И.
Взаимодействие лития с многозарядными акцепторами I группы в германии
2165
Берман Л.С., Ременюк А.Д., Толстобров М.Г.
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
2169
Болд З., Казанский А.Г., Климашин И.В., Миличевич Е.П., Теруков Е.И.
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2173
Каваляускас А.А., Пека Г.П., Приступа П.В., Смоляр А.Н., Черюканов С.Д., Шиленас А.Л., Шимулите Е.А.
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p
+
-n-гетероструктур из Al
x
Ga
1-x
As
2177
Бакши И.С., Кодалашвили М.З., Сальков Е.А., Хижняк Б.И.
1/f-шум ЭДС Холла в n-Cd
x
Hg
1-x
Te
2182
Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Кудрявцева Р.В., Ершов А.В.
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2187
Петросян С.Г., Шик А.Я.
Влияние флуктуаций состава и легирования на неравновесные свойства полупроводника
2192
Асрян Л.В., Шик А.Я.
Захват неравновесных носителей и кинетика фотоотклика в p-n-переходах
2199
Глазман Л.И., Каганов М.И.
Осцилляции ВАХ сверхрешетки в квантующем магнитном поле
2204
Сандомирский В.Б., Федорова М.Б., Филатов А.Л.
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
2209
Баранский П.И., Торишний В.И., Чипенко Г.В.
О прыжковой проводимости в полупроводниковом алмазе
2214
Омельяновский Э.М., Пахомов А.В., Поляков А.Я., Бородина О.М., Наливайко И.И.
К вопросу о механизме пассивации мелких доноров в арсениде галлия атомарным водородом
2217
Липник А.А.
"Бестоковое" планарное магнитоусиление гидро- и мезозвука в изотропных и анизотропных полупроводниках
2218
Кустов В.Е., Трипачко Н.А., Чесноков С.А., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л.
Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием
2220
Блецкан Н.И., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р., Цикунов А.В.
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2223
Войцеховский А.В., Кирюшкин Е.М., Лиленко Ю.В., Петров А.С., Черников Е.В., Кузнецов Н.В., Курбанов К.Р., Мамонтов А.П.
Ускоренная диффузия индия в Hg
1-x
Cd
x
Te под воздействием облучения ионами при T=300 K
2226
Жданеев В.В., Зарифьянц Ю.А., Кашкаров П.К.
Модификация оптических свойств InAs под действием импульсного лазерного облучения
2228
Поляновский В.М.
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2230
Вайнерт Х., Латинис В., Юршенас С., Балтрамеюнас Р.
Исследования экситонной люминесценции сверхрешеток GaAs-GaAlAs с пикосекундным временным разрешением
2232
Бобрикова О.В., Герасименко Н.Н., Стась В.Ф.
Влияние интенсивности облучения электронами на накопление A-центров в области пространственного заряда в кремнии
2236
Агекян В.Ф., Александров Б.Г., Степанов Ю.А.
Механизм низкотемпературного стимулированного излучения света в твердых растворах A
II
B
VI
2240
Аннотации депонированных статей
2243
Именной указатель
2248
Предметный указатель
2281
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук