Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2016, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11
XX Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14- 18 марта 2016 г.
Цырлин Г.Э., Штром И.В., Резник Р.Р., Самсоненко Ю.Б., Хребтов А.И., Буравлев А.Д., Сошников И.П.
XX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
1441
Балагула Р.М., Винниченко М.Я., Махов И.C., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е.
Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях
1445
Большаков А.С., Чалдышев В.В., Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Лундин В.В., Цацульников А.Ф.
Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
1451
Яблонский А.Н., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Байдусь Н.В., Красильник З.Ф.
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
1455
Данильцев В.М., Демидов Е.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Краев С.А., Суровегина Е.А., Шашкин В.И., Юнин П.А.
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
1459
Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю.
Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
1463
Дубинов А.А.
Лазер на основе германия c гибридной поверхностной плазменной модой
1469
Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В.
Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi
x
1473
Жукавин Р.Х., Ковалевский К.А., Орлов М.Л., Цыпленков В.В., Hubers H.-W., Dessmann N., Козлов Д.В., Шастин В.Н.
Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии
1479
Иванов К.А., Гиршова Е.И., Калитеевский М.А., Clark S.J., Gallant A.J.
Ангармонические блоховские осцилляции электронов в электрически смещенных сверхрешетках
1484
Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дроздов М.Н.
Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным delta-легированным Mn слоем GaAs
1490
Шмагин В.Б., Вдовичев С.Н., Морозова Е.Е., Новиков А.В., Шалеев М.В., Шенгуров Д.В., Красильник З.Ф.
Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)
1497
Климов А.Э., Эпов В.С.
Анизотропия магнитоемкости структур на основе пленок PbSnTe : In/BaF
2
1501
Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Ершов А.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А.
Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
1509
Шамирзаев В.Т., Гайслер В.А., Шамирзаев Т.С.
Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов
1513
Косарев А.Н., Чалдышев В.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.
Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs
1519
Koчерешко В.П., Авдошина Д.В., Savvidis P., Tsintzos S.I., Hatzopoulos Z., Kavokin A.V., Besombes L., Mariette H.
Конденсация экситонных поляритонов в микрорезонаторах, индуцированная магнитным полем
1527
Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Юнин П.А., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Дроздов М.Н., Хрыкин О.И., Бузанов О.А., Аленков В.В., Фоломин П.И., Гриценко А.Б.
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
1532
Ляпилин И.И., Окороков М.С.
Динамическая генерация спин-волнового тока в гибридных структурах
1537
Можаров А.М., Кудряшов Д.А., Большаков А.Д., Цырлин Г.Э., Гудовских А.С., Мухин И.С.
Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов
1543
Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Устинов В.М.
Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
1548
Бовкун Л.С., Криштопенко С.С., Иконников А.В., Алешкин В.Я., Кадыков А.М., Ruffenach S., Consejo C., Teppe F., Knap W., Orlita M., Piot B., Potemski M., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И.
Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
1554
Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю.
Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света
1561
Полищук О.В., Мельникова В.С., Попов В.В.
Широкоапертурное полное поглощение терагерцовой волны в нанопериодической плазмонной структуре на основе графена
1565
Мартовицкий В.П., Садофьев Ю.Г., Клековкин А.В., Сарайкин В.В., Васильевский И.С.
Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям
1570
Байдусь Н.В., Кукушкин В.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М.
Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки
1576
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук