Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2023, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 3
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Хомец А.Л., Сафронов И.В., Филонов А.Б., Мигас Д.Б.
Влияние морфологии поверхности и границ раздела на продольную фононную теплопроводность в тонкопленочных структурах Ge(001) и Si/Ge(001)
131
Суханов М.А., Бакаров А.К., Журавлев К.С.
Процесс десорбции оксида с поверхности InSb в потоке сурьмы
138
Алмаев Д.А., Алмаев А.В., Николаев В.И., Бутенко П.Н., Щеглов М.П., Чикиряка А.В., Печников А.И.
Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку
145
Чернов М.Ю., Соловьев В.А., Иванов С.В.
Снижение плотности дислокаций в метаморфных гетероструктурах путем оптимизации конструкции буферного слоя с нелинейным профилем изменением состава
153
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Котова Л.В., Белова Д.Д., Andre R., Mariette H., Кочерешко В.П.
Легкие и тяжелые экситоны в напряженных квантовых ямах CdTe/CdZnTe
160
Резник А.Н., Востоков Н.В.
Микроволновая вольт-импедансная спектроскопия полупроводниковой структуры
169
Быков А.А., Номоконов Д.В., Горан А.В., Стрыгин И.С., Марчишин И.В., Бакаров А.К.
Влияние подсветки на квантовое время жизни в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs-сверхрешеточными барьерами
181
Денисов К.С., Голеницкий К.Ю.
Эффективная генерация спина в графене на магнитной подложке при поглощении света в дальнем ИК диапазоне
187
Физика полупроводниковых приборов
Полушкин Е.А., Нефедьев С.В., Солтанович О.А., Ковальчук А.В., Шаповал С.Ю.
Повышение радиационной стойкости интегральных схем на основе биполярных транзисторов обработкой в водородной электронно циклотронно резонансной плазме и геттерированием Si-пластин
195
Крыжановская Н.В., Блохин С.А., Махов И.С., Моисеев Э.И., Надточий А.М., Фоминых Н.А., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Гусева Ю.А., Кулагина М.М., Зубов Ф.И., Колодезный Е.С., Максимов М.В., Жуков А.Е.
Исследование p-i-n-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек
202
Дашков А.С., Костромин Н.А., Бабичев А.В., Горай Л.И., Егоров А.Ю.
Моделирование зонной структуры сверхрешеток на основе "разбавленных" нитридов
207
Жуков А.Е., Крыжановская Н.В., Махов И.С., Моисеев Е.И., Надточий А.М., Фоминых Н.А., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Зубов Ф.И., Максимов М.В.
Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками
215
Volcheck V., Lovshenko I., Stempitsky V.
Design optimization of the gallium nitride high electron mobility transistor with graphene and boron nitride heat-spreading elements
221
Персоналии
Памяти Леонида Евгеньевича Воробьева
222
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук