Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2005, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, выпуск 12
Электронные и оптические свойства полупроводников
Соколовский Б.С., Иванов-Омский В.И., Ильчук Г.А.
Электролюминесценция варизонных структур с антизапорным и омическим контактами
1409
Теруков Е.И., Хужакулов Э.С.
Мёссбауэровское исследование двухэлектронных донорных центров германия в PbSe
1417
Теруков И.Е., Хужакулов Э.С.
Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами германия в PbSe
1420
Гаджиев Г.М., Голубев В.Г., Курдюков Д.А., Певцов А.Б., Селькин А.В., Травников В.В.
Характеризация фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник по спектрам брэгговского отражения света
1423
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф.
О влиянии поперечного квантования на электрические характеристики туннельной МОП структуры субмикрометровых размеров
1430
Берман Л.С.
Моделирование вольт-фарадных характеристик сегнетоэлектрика
1436
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В.
Оценки энергетических характеристик гетеропереходов 3C-SiC/2H-, 4H-, 6H- и 8H-SiC
1440
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R.
Измерения длин диффузии микрометрового диапазона техникой ядерной спектрометрии
1443
Крыжков Д.И., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Денисов Д.В., Красильник З.Ф., Шек Е.И.
Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: фотолюминесцентная спектроскопия высокого разрешения
1448
Ледяев О.Ю., Стрельчук А.М., Кузнецов А.Н., Середова Н.В., Зубрилов А.С., Волкова А.А., Николаев А.Е., Лебедев А.А.
Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC
1452
Емцев В.В., Николаев Ю.А., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Якушев М.В.
Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se
2
при gamma-облучении
1455
Низкоразмерные системы
Якобсон М.А., Нельсон Д.К., Константинов О.В., Матвеенцев А.В.
Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In
0.2
Ga
0.8
N/GaN и его влияние на спектр фотолюминесценции при лазерном возбуждении
1459
Физика полупроводниковых приборов
Карачинский Л.Я., Kettler T., Гордеев Н.Ю., Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Васильев А.П., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Ковш А.Р., Щукин В.А., Михрин С.С., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Bimberg D.
Непрерывный режим генерации одномодовых метаморфных лазеров на квантовых точках спектрального диапазона 1.5 мкм
1464
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R.
Предельное разрешение по энергии карбид-кремниевых детекторов при спектрометрии ионов
1469
Иванов П.А., Грехов И.В., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П.
Идеальный статический пробой в высоковольтных (1 кВ) диодных p-n-структурах с охранными кольцами на основе 4H-SiC
1475
Персоналии
Юрий Васильевич Шмарцев (1930-1993) ( к 75-летию со дня рождения)
1478
Борис Васильевич Царенков ( к 75-летию со дня рождения)
1480
Юрас Пожела ( к 80-летию со дня рождения)
1481
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук