Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 3
Средин В.Г., Ланская О.Г., Поповнин В.М.
Ориентационная зависимость свойств поверхностных анодных окислов на Cd
x
Hg
1- x
Te
385
Гарнык В.С.
Влияние положения уровня Ферми на радиационную стойкость компенсированного кремния
388
Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Куликов Г.С., Мелех Б.Т., Чичикалюк Ю.А., Юсупова Ш.А.
Влияние марганца и никеля на образование структурных дефектов в кремнии
392
Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Ершов О.Г., Яковлев Ю.П.
Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsSb/ p-InAs
399
Голикова О.А., Казанин М.М., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Теруков Е.И.
Пленки аморфного гидрированного кремния, осажденные при повышенных температурах
405
Крылова И.В., Петрухин А.Г.
Экзоэмиссия и фазовые переходы на реальной поверхности кристаллического и пористого кремния
415
Лебедев А.А., Полетаев Н.К.
Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4 H-SiC p-n-структур
427
Власов Ю.А., Пермогоров С.А., Арешкин А.Г., Федоров Д.Л.
Структурный переход сфалерит--вюрцит при изменении состава твердых растворов Zn
x
Cd
1- x
Se
433
Чуприков Н.Л.
Туннелирование в одномерной системе N одинаковых потенциальных барьеров
443
Гупалов С.В., Кавокин А.В.
Вольт-амперная характеристика короткопериодной сверхрешетки в режиме баллистического транспорта
455
Попов И.А.
Структурная модификация пленок аморфного гидрогенизированного кремния при использовании ультрафиолетового излучения
466
Алферов Ж.И., Кацавец Н.И., Петриков В.Д., Тарасов И.С., Халфин В.Б.
Об оптической прочности зеркал высокомощных квантово-размерных лазерных диодов с раздельным ограничением, работающих в непрерывном режиме
474
Белов А.Г., Белогорохов А.И., Лакеенков В.М., Либерант Л.М., Смирнова Н.А.
О некоторых особенностях спектров отражения Cd
1-x
Zn
x
Te в дальней инфракрасной области спектра
484
Гореленок А.Т., Шпаков М.В.
Чисто зеленая (lambda= 555 нм) люминесценция эпитаксиальных слоев GaP:Y
488
Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Офицерова Н.В., Морозенко Я.В., Абилова Н.А.
Катодолюминесценция твердых растворов (SiC)
1-x
(AlN)
x
493
Добин А.Ю., Яссиевич И.Н.
Дырочные состояния в ультратонких квантовых ямах
497
Астрова Е.В., Витман Р.Ф., Емцев В.В., Лебедев А.А., Полоскин Д.С., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В.
Влияние gamma-облучения на свойства пористого кремния
507
Калитеевский М.А.
Двойное антипересечение локализованной оптической моды с двумя близкими экситонными резонансами в полупроводниковом микрорезонаторе
516
Андреев А.Д., Сурис Р.А.
Метод слабой связи для расчета спектра носителей в гетероструктурах
520
Бер Б.Я., Меркулов А.В., Новиков С.В., Третьяков В.В., Ченг Т.С., Фоксон С.Т., Дженкинс Л.С., Хупер С.Е., Лаклисон Д.Е., Ортон Д.В.
Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии
536
Смирнов Д.В., Машовец Д.В., Сафончик М.О., Рознован Ю.В., Леотен Ж.
Магнетофононный резонанс в p-CdSb
543
Мирсагатов Ш.А., Айтбаев Б.У., Рубинов В.М.
Фотоприемники с управляемым спектром фоточувствительности
550
Дощанов К.М.
Рекомбинация и перенос заряда в поликристаллических полупроводниках при воздействии оптического излучения
558
Гулямов Г.
Влияние поверхностной рекомбинации на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле
569
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук