Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 12
Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., Ладыгин Е.А., Мусалитин А.М., Шилин Б.А.
Влияние облучения электронами на физические свойства легированных германием монокристаллов кремния
2073
Кадушкин В.И., Сеничкин А.П.
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
2080
Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г., Поссе Е.А., Шульга М.И.
Ток туннельного типа в поверхностно-барьерных структурах на основе слабо легированного арсенида галлия
2089
Климовская А.И., Прима Н.А.
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2094
Герасим В.И., Горлей П.Н., Деркач Н.И., Заячук Д.М.
Подвижность и механизмы рассеяния дырок в Pb
0.92
Sn
0.08
S
0.8
Se
0.2
2102
Литвак А.М., Чарыков Н.А.
Термодинамический расчет зависимости ширины запрещенной зоны от состава многокомпонентных твердых растворов на основе соединений A
III
B
V
2106
Гергель В.А., Ильичев Э.А., Лукьянченко А.И., Полторацкий Э.А., Соляков А.Н.
Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через полуизолирующую подложку
2111
Быковский В.А., Кольченко Т.И., Ломако В.М.
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs : In, полученных хлоридным методом
2117
Асрян Л.В., Петросян С.Г., Шик А.Я.
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2121
Константинов О.В., Царенков Б.В.
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2126
Вавилов В.С., Чукичев М.В., Хакимов К., Битюцкая Л.А., Китин Д.В., Хухрянский М.Ю.
Исследование спектров катодолюминесценции кристаллов моноклинного дифосфида цинка, легированного медью
2132
Андреевский К.Н., Трахброт Б.М.
Корреляция в поведении кислородных термодоноров и комплексов, ответственных за поглощение при 890 см
-1
, в Si, облученном в реакторе при разных температурах
2136
Бумай Ю.А., Ульяшин А.Г., Шакин И.А., Шлопак Н.В.
Влияние обработки в водородной плазме на электрофизические свойства кремния, легированного фосфором
2141
Банная В.Ф., Веселова Л.И., Гершензон Е.М., Гусинский Э.Н., Литвак-Горская Л.Б.
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2145
Демиховский С.В., Муравьев А.В., Павлов С.Г., Шастин В.Н.
Перестройка спектра излучения лазера на p-Ge при одноосной деформации
2151
Алексеева Г.Т., Вейс А.Н., Гуриева Е.А., Жукова Т.Б., Прокофьева Л.В.
Примесные состояния индия в PbS
2155
Георгицэ Е.И., Иванов-Омский В.И., Мастеров В.Ф., Погорлецкий В.М., Пиотровский Т., Смирнов В.А.
Фотолюминесценция Hg
1-x
Mn
x
Te, связанная с локальным уровнем Mn
+
2160
Дерингас А., Добровольскис З., Гореленок А.Т., Мокина И.А., Шмидт Н.М.
Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe
2167
Карпович И.А., Алешкин В.Я., Аншон А.В., Бабушкина Т.С., Звонков Б.Н., Малкина И.Г.
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой
2172
Белоусов М.В., Гореленок А.Т., Давыдов В.Ю., Каржавин Р.В., Мокина И.А., Шмидт Н.М., Якименко И.Ю.
Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методом комбинационного рассеяния света
2177
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs
2
2181
Берман Л.С., Витовский Н.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н.
О природе K-центра в кремнии
2186
Малик А.И., Гречко В.А., Грушка Г.Г.
Особенности токопереноса в ПДП структурах со сквозными проводящими каналами в диэлектрике
2191
Дмитриев А.П., Имамов Э.З., Яссиевич И.Н.
Резонанс Фано эффекта увлечения электронов фотонами в полупроводниках
2193
Ермолин А.В., Кучма А.Е., Свердлов В.А.
Поверхностные плазменные волны в сверхрешетках с квантовыми ямами
2197
Крючков С.В.
Влияние примесей на высокочастотную проводимость сверхрешетки
2200
Талипов Ф.М., Бахадырханов М.К.
Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния
2202
Грехов И.В., Делимова Л.А., Шубников М.Л.
Влияние гидростатического сжатия на рекомбинационные свойства золота в Si
2203
Гицу Д.В., Долма В.А., Мунтяну Ф.М., Пономарев Я.Г.
Электронные фазовые переходы полупроводник-полуметалл в магнитном поле у тонких монокристаллических нитей сплавов Bi-Sb
2205
Вывенко О.Ф., Базлов Н.В., Целищев С.Л.
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
2208
Аскеров Б.М., Кулиев Б.И., Панахов М.М., Райх М.Э.
Подвижность электронов и термоэдс полупроводниковой сверхрешетки при рассеянии на фононах
2211
Ашмонтас С., Валушис Г., Либерис Ю., Субачюс Л.
Шумовая температура в компенсированном n-InSb<Cr>
2214
Бирюлин Ю.Ф., Воробьева В.В., Новиков С.В., Шелковников Д.Н.
Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью --- висмутом и акцепторной примесью --- цинком
2217
Бирюлин Ю.Ф., Каряев В.Н., Крещук А.М., Писаревская В.А.
Особенности электрофизических свойств GaAsSb, легированного амфотерной примесь --- германием
2219
Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д.
Электрофизические свойства Cd
x
Hg
1-x
Te, подвергнутого ионно-лучевому травлению
2222
Критика и библиография
2225
Именной указатель
2234
Предметный указатель
2264
Опечатки и исправления (ФТП, 1990. Т. 24. В. 6. С. 1019-1025)
2283
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук