Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2005, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, выпуск 1
Материалы Совещания o Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Дроздов Ю.Н., Востоков Н.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Хрыкин О.И., Филимонов А.С., Шашкин В.И.
Влияние параметров сапфировых подложек на кристаллическое качество слоев GaN
5
Электронные и оптические свойства полупроводников
Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Дроздов Ю.Н., Лесников В.П., Подольский В.В.
Свойства слоев GaSb : Mn, полученных осаждением из лазерной плазмы
8
Данильцев В.М., Гапонова Д.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Мурель А.В., Пряхин Д.А., Хрыкин О.И., Шашкин В.И.
Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных пленок GaInAsN
13
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Пряхин Д.А., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Гапонова Д.М., Мурель А.В., Шашкин В.И., Rushworth S.
Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs
17
Хрыкин О.И., Бутин А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Мурель А.В., Шашкин В.И.
Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ
21
Низкоразмерные системы
Байдусь Н.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Малышева Е.И., Ускова Е.А.
Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл--квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции
25
Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Гапонова Д.М., Иконников А.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Садофьев Ю.Г., Johnson S.R., Zhang Y.-H.
Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами
30
Шамирзаев Т.С., Гилинский А.М., Бакаров А.К., Торопов А.И., Фигуренко С.А., Журавлев К.С.
Долговременная кинетика фотолюминесценции квантовых точек InAs/AlAs в магнитном поле
35
Мурель А.В., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Шашкин В.И., Шмагин В.Б., Хрыкин О.И.
Электролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs
38
Брунков П.Н., Гуткин А.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.
Исследование центров рекомбинации, связанных с наноразмерными кластерами As--Sb в низкотемпературном арсениде галлия
41
Карпович И.А., Здоровейщев А.В., Тихов С.В., Демина П.Б., Хапугин О.Е.
Влияние электрохимической модификации тонкого покровного слоя Ga(In)As на энергетический спектр квантовых точек InAs / GaAs
45
Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Капаев В.В., Hanna S., Schmidt S., Zibik E.A., Seilmeier A.
Межподзонное поглощение света в гетероструктурах с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs
49
Антонов А.В., Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Ускова Е.А.
Осцилляции тока при латеральном транспорте в гетероструктурах GaAs / InGaAs с квантовыми ямами
53
Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Andreev A.D., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Hanna S., Seilmeier A., Zakharov N.D., Werner P.
Оптические явления в гетероструктурах InAs / GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами
59
Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В.
Расчет состояний мелких доноров в квантовых ямах в магнитном поле методом разложения по плоским волнам
63
Орлова Е.Е., Harrison P., Zheng W.-M., Halsall M.P.
Влияние локализации в квантовой яме на время жизни состояний мелких примесных центров
67
Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Иконников А.В., Садофьев Ю.Г., Bird J.P., Jonhson S.R., Zhang Y.-H.
Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs / AlSb с квантовыми ямами
71
Бекин Н.А., Жукавин Р.Х., Ковалевский К.А., Павлов С.Г., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., Шастин В.Н.
Терагерцовая люминесценция гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами при оптическом возбуждении доноров
76
Андрианов А.В., Новиков С.В., Журавлев И.С., Ли Т., Чаа Р., Булл С., Харрисон И., Ларкинс Е.К., Фоксон К.Т.
Эффективная фотолюминесценция ближнего инфракрасного диапазона в слоях нитрида галлия, легированного мышьяком
82
Васильева Ю.В., Данилов Ю.А., Ершов Ант.А., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., Давыдов А.Б., Аронзон Б.А., Гуденко С.В., Рыльков В.В., Грановский А.Б., Ганьшина Е.А., Перов Н.С., Виноградов А.Н.
Свойства структур на основе GaAs, легированного Mn из лазерной плазмы в процессе МОС-гидридной эпитаксии
87
Востоков Н.В., Гусев С.А., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Корытин А.И., Мурель А.В., Шашкин В.И.
Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs
92
Антонов А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Молдавская Л.Д., Мурель А.В., Туловчиков В.С., Шашкин В.И.
Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мкм
96
Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Шумский В.Н.
Исследование фотоэлектрических свойств квантовых точек Ge в матрице ZnSe на GaAs
100
Садофьев Ю.Г., Ramamoorthy A., Bird J.P., Johnson S.R., Zhang Y.-H.
"Необычная" остаточная фотопроводимость в квантовой яме InAs/AlSb
106
Сошников И.П., Леденцов Н.Н., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е., Фомин А.В., Litvinov D., Hahn E., Gerthsen D.
Особенности структурного взаимодействия в гетероструктурах (AlGaIn)N / GaN как дислокационных фильтрах
112
Шегай О.А., Бакаров А.К., Калагин А.К., Торопов А.И.
Латеральная фотопроводимость структур AlGaAs / InGaAs с квантовыми ямами и самоорганизующимися квантовыми точками при межзонной подсветке
115
Якунин М.В., Альшанский Г.А., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., де Виссер А., Пономаренко Л.
Спиновые эффекты в индуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы n-In
x
Ga
1-x
As / GaAs
118
Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я., Красникова И.В.
Генератор терагерцевого излучения, основанный на нелинейном преобразовании частоты в двойном вертикальном резонаторе
124
Соболев М.М., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Поляков Н.К., Тонких А.А., Мусихин Ю.Г.
Локализация дырок в квантовой молекуле InAs / GaAs
131
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Поляков Н.К., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Zakharov N.D., Werner P., Andreev A.
Исследование способов получения и свойств квантовых молекул InAs в матрице GaAs
136
Валах М.Я., Стрельчук В.В., Коломыс А.Ф., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Xiao M., Salamo G.J.
Резонансное комбинационное рассеяние света и атомно-силовая микроскопия многослойных наноструктур InGaAs/GaAs с квантовыми точками
140
Данилов Ю.А., Бирюков А.А., Gon c alves J.L., Swart J.W., Iikawa F., Teschke O.
Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в пористом GaSb, сформированном ионной имплантацией
145
Лазарук С.К., Лешок А.А., Лабунов В.А., Борисенко В.Е.
Эффективность лавинных светодиодов на основе пористого кремния
149
Физика полупроводниковых приборов
Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Морозов С.В., Маремьянин К.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М.
Наблюдение излучения среднего инфракрасного диапазона в полупроводниковых лазерах, генерирующих две частотные полосы в ближнем инфракрасном диапазоне
153
Popov V.V., Tsymbalov G.M., Shur M.S., Knap W.
Resonant terahertz response of a slot diode with a two-dimensional electron channel
157
Романов Ю.А., Романова Ю.Ю.
Блоховские колебания в сверхрешетках. Проблема терагерцового генератора
162
Алешкин В.Я., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Кочаровский Вл.В.
Конкуренция мод, неустойчивость и генерация вторых гармоник в двухчастотных лазерах InGaAs/GaAs/InGaP
171
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук