Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2008, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2008, том 42, выпуск 7
Электронные и оптические свойства полупроводников
Ромака В.А., Стаднык Ю.В., Аксельруд Л.Г., Ромака В.В., Fruchart D., Rogl P., Давыдов В.Н., Гореленко Ю.К.
Механизм локальной аморфизации сильно легированного интерметаллического полупроводника Ti
1-x
V
x
CoSb
769
Соболев В.В., Калугин А.И., Соболев В.Вал., Исхакова С.Г.
Фундаментальные спектры оптических функций ферроэлектрика нитрита натрия
777
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Феоктистов Н.А., Даниловский Э.Ю., Кузьмин Р.В., Разумов С.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В.
Спектры фотолюминесценции гетероструктур n-ZnO/ p-GaN<Er+Zn> и p-AlGaN<Er+Zn>
782
Вирт И.С., Курило И.В., Рудый И.А., Сизов Ф.Ф., Михайлов Н.Н., Смирнов Р.Н.
CdTe как пассивирующий слой в гетероструктуре CdTe/HgCdTe
788
Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Тарасов И.С., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Беляев А.Е., Камалов А.Б., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Миленин В.В., Руссу Е.В.
Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiB
x
793
Востоков Н.В., Шашкин В.И.
Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл--полупроводник
799
Низкоразмерные системы
Сизов В.С., Цацульников А.Ф., Лундин В.В.
Нановключения InGaN в матрице AlGaN
804
Кукушкин В.А.
Периодическое создание кратковременной инверсии населенностей на межподзонных лазерных переходах в квантовых ямах
810
Гниденко А.А., Заводинский В.Г.
Влияние кислорода на структуру и электронные свойства нанокластеров кремния Si
n
(n=5,6,10,18)
817
Мамутин В.В., Егоров А.Ю., Крыжановская Н.В., Михрин В.С., Надточий А.М., Пирогов Е.В.
Методы управления длиной волны излучения в гетероструктурах InAs/GaAsN/InGaAsN на подложках GaAs
823
Зайцев С.В., Бричкин А.С., Дорожкин П.С., Bacher G.
Релаксация экситонов в полумагнитных асимметричных двойных квантовых ямах
831
Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Иконников А.В., Криштопенко С.С., Садофьев Ю.Г., Спирин К.Е.
Обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb
846
Физика полупроводниковых приборов
Ozden S., Bayhan H., Donmez A., Bayhan M.
Measurement and comparison of silicon p-i-n-photodiodes ac impedance at different voltages
852
Алещенко Ю.А., Жуков А.Е., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Копьев П.С., Устинов В.М.
Управление заселенностью верхней рабочей подзоны электрическим полем в структурах с асимметричными барьерами для униполярного лазера
856
Слободян Т.Е., Булашевич К.А., Карпов С.Ю.
Оптическое ограничение в лазерных диодах на основе нитридов III группы. I. Теория, оптические свойства материалов
864
Слободян Т.Е., Булашевич К.А., Карпов С.Ю.
Оптическое ограничение в лазерных диодах на основе нитридов III группы. II. Анализ гетероструктур на различных подложках
871
Иванов П.А., Грехов И.В., Потапов А.С., Самсонова Т.П.
Импульсный пробой диодов Шоттки на основе 4H-SiC с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора
878
Мурашова А.В., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Шамахов В.В., Васильева В.В., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Налет Т.А., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Тарасов И.С., Kim Y.S., Kang D.H., Lee C.Y.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 835 нм на основе различных типов лазерных гетероструктур
882
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Бачериков Ю.Ю., Конакова Р.В., Миленин В.В., Охрименко О.Б., Светличный А.М., Поляков В.В.
Изменение характеристик оксидных пленок гадолиния, титана и эрбия на поверхности n-6H-SiC под воздействием сверхвысокочастотной обработки
888
Покотило Ю.М., Петух А.Н., Дзичковский О.А.
Кинетика формирования различных типов водородсодержащих доноров в кремнии, имплантированном протонами
893
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук