Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 6
Байрамов Б.Х., Войтенко В.А., Ипатова И.П., Негодуйко В.К., Топоров В.В.
Температурная зависимость сечения рассеяния света носителями тока. Обнаружение акустического плазмона О б з о р
913
Кулеев И.Г., Ляпинин И.И., Лончаков А.Т., Цидильковский И.М.
Влияние увлечения электронов фононами на термоэлектрические и термомагнитные эффекты в селениде ртути, легированном железом
937
Мороз Г.К., Жерздев А.В.
К вопросу о механизме формирования пористого кремния
949
Голант Е.И., Пашковский А.Б.
Прохождение электронов через двухбарьерные резонансно-туннельные структуры в высокочастотных полях
954
Грибников З.С., Коршак А.Н.
Многозначные распределения электронов по долинам в многослойных структурах и p-n-переходах
963
Попов И.А., Назарова Л.Д.
Прогнозирование стабильности параметров тонкопленочных транзисторов на основе фундаментальных характеристик пленок a-Si:H
975
Свиридов В.В., Ярославцев Н.П.
Низкочастотная электромеханическая релаксация в пьезополупроводниках
980
Авраменко С.Ф., Вайнберг В.В., Венгер Е.Ф., Кириллова С.И., Киселев В.С., Примаченко В.Е., Чернобай В.А.
Электронные свойства поверхности карбида кремния ромбоэдрической модификации 15 R
989
Андреев А.Н., Аникин М.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
998
Голикова О.А.
Высокобористые соединения --- фазы переменного состава
1003
Кузнецов Н.И., Дмитриев А.П., Фурман А.С.
Параметры центра, связанного с примесью Al в 6H-SiC
1010
Мухтаров А.П., Сулаймонов Н.Т., Пулатова Д.С., Хакимов З.М.
Oб энергетических уровнях серы в кремнии
1015
Быстримович С.А., Запорожченко Р.Г., Малевич В.Л., Карпушко Ф.В., Синицын Г.В., Уткин И.А.
Нелинейное поглощение света в сильно легированном n-InP вблизи края фундаментального поглощения
1020
Карачевцева М.В., Страхов В.А., Яременко Н.Г.
Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетероструктурах InGaAsP/InP
1027
Бессолов В.Н., Евстропов В.В., Лебедев М.В., Россин В.В.
Интерфейсная люминесценция GaAs/GaAlAs-структур: связь с условиями формирования гетерограницы
1032
Морозенко Я.В.
Пространственная неоднородность краевой люминесценции в эпитаксиальных слоях SiC- 6 H
1042
Максимов М.В., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Иванов С.В., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Мельцер Б.Я., Табатадзе И.Г., Устинов В.М.
Оптические исследования GaAs/AlAs структур с изолированными кластерами GaAs, выращенных на поверхности с высокими индексами Миллера
1046
Андаспаева А.А., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Попов А.А., Яковлев Ю.П.
Рекомбинация в области гетероперехода N- n-GaSb GaInAsSb
1055
Баранский П.И., Видалко Е.Н.
Изменения анизотропии рассеяния носителей тока в n-Si, возникающие в области комнатных температур под влиянием высокого гидростатического давления
1064
Пихтин А.Н., Тодоров М.Т.
Фотоотражение полуизолирующего GaAs при homega=<sssimE
g
1068
Дричко И.Л., Попов В.В.
Влияние поверхностной проводимости на акустические и гальваномагнитные свойства высокоомного n-InSb при низких температурах
1076
Емцев В.В., Полоскин Д.С., Соболев Н.А., Шек Е.И.
Донорные центры в Cz-Si с примесью магния, введенной методом ядерных трансмутаций
1084
Курова И.А., Лупачева А.Н., Мелешко Н.В., Ларина Э.В.
Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H
1092
Охрем В.Г.
К вопросу об эффекте Бриджмена
1097
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук