Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2008, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2008, том 42, выпуск 6
Обзоры
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашёв С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М.
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия О б з о р
641
Электронные и оптические свойства полупроводников
Ефанов А.В.
О волновых функциях горячих экситонов в полупроводниках с вырожденными зонами
658
Варавин В.С., Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В.
Исследование зависимости электрофизических параметров пленок Cd
x
Hg
1-x
Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием
664
Сидоров Г.Ю., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Икусов Д.Г., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А.
Исследование влияния температуры крекинга мышьяка на эффективность его встраивания в пленки CdHgTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
668
Воронько А.Н.
Электронные характеристики однократно ионизированной пары доноров фосфора в кремнии и операции с зарядовыми кубитами
672
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Стамов И.Г., Ткаченко Д.В.
Особенности долговременной релаксации емкости в выпрямляющих структурах на основе моноклинного ZnP
2
n-типа проводимости
679
Попова Т.Б., Бакалейников Л.А., Заморянская М.В., Флегонтова Е.Ю.
Рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур на основе моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло
686
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю.
Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn при выключении
692
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Свешников Ю.Н., Шеремет В.Н.
О механизме токопереноса, обусловленном дислокациями в нитридгаллиевых диодах Шоттки
706
Низкоразмерные системы
Карпунин В.В., Маргулис В.А.
Гибридно-фононные резонансы в квантовом канале
711
Багаев Е.А, Журавлев К.С., Свешникова Л.Л., Щеглов Д.В.
Изменение оптических свойств нанокластеров CdS, полученных методом Ленгмюра-Блоджетт, при пассивации в аммиаке
718
Цырлин Г.Э., Сибирев Н.В., Sartel С., Harmand J.-C.
Латеральное упорядочение нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(111)B и GaAs(110) при молекулярно-пучковой эпитаксии
726
Савельев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Сейсян Р.П., Зегря Г.Г.
Формирование сверхизлучения в наногетероструктурах с квантовыми точками
730
Усов С.О., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Леденцов Н.Н.
Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaN
736
Физика полупроводниковых приборов
Гуляев А.М., Ван Ле Ван, Сарач О.Б., Мухина О.Б.
О воздействии оптического излучения на чувствительность газовых сенсоров на основе пленок SnO
2-x
742
Карпов А.Н., Марин Д.В., Володин В.А., Jedrzejewski J., Качурин Г.А., Savir E., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш., Goldstein Y., Balberg I.
Формирование SiO
x
-слоев при плазменном распылении Si- и SiO
2
-мишеней
747
Воробьев Л.Е., Зерова В.Л., Борщёв К.С., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Belenky G.
Концентрация и температура носителей заряда в квантовых ямах лазерных гетероструктур в режимах спонтанного и стимулированного излучения
753
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Астрова Е.В., Нечитайлов А.А.
Электрохимическое травление макропор в кремнии с щелевыми затравками
762
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук