Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3
Кабыченков А.Ф.
Немонотонность проводимости инверсионных p-каналов
369
Исмаилов Ж.Т., Кульбачинский В.А., Чудинов С.М., Гавалешко Н.П., Марьянчук П.Д.
Перетекание электронов на примесный уровень в Hg
1-x
Mn
x
Se под давлением
375
Бильгильдеева Т.Ю., Каряев В.Н., Полянская Т.А.
Слабая локализация и спин-орбитальное взаимодействие в твердом растворе GaAs
0.94
Sb
0.06
p-типа
381
Ефанов А.В., Энтин М.В.
Поведение ЭДС Дембера на горячих электронах в слабом магнитном поле
386
Винников А.Я., Мешков А.М., Титков А.С.
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
390
Бочков В.С., Гредескул Т.С., Гуревич Ю.Г.
Неравновесные электроны и фононы в полупроводниках конечных размеров в электрических полях
396
Зарицкий И.М., Семенов Ю.Г.
О причине аномалий спин-решеточной релаксации и низкотемпературной теплоемкости в аморфном кремнии и германии
402
Вирт И.С., Григорьев Н.Н., Любченко А.В.
Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках
409
Григорьев Б.И., Корольков В.И., Рожков А.В.
Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного тиристора на основе гетероструктуры
413
Архипов В.И., Никитенко В.Р.
Кинетика близнецовой рекомбинации в аморфных материалах в условиях поверхностной генерации пар
419
Копьев П.С., Уральцев И.Н., Эфрос Ал.Л., Яковлев Д.Р., Винокурова А.В.
Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях ширины квантовой ямы
424
Козырев С.В., Маслов А.Ю.
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
433
Карпус В.
Энергетическая релаксация двумерных электронов при пьезоакустическом рассеянии
439
Левин Е.И., Монахов А.М., Рогачев А.А.
О возможности немонотонного хода потенциала в аккумуляционном слое
450
Даргис А.Ю., Жураускас С.В.
Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях
455
Стриха В.И., Ильченко В.В., Мездрогина М.М., Андреев А.А.
Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
461
Глазман Л.И., Юрченко В.Б.
Сопротивление и ВАХ чистого полупроводникового контакта в магнитном поле
465
Акопян А.А, Витусевич С.А., Малютенко В.К.
Теоретическое и экспериментальное исследования эксклюзии в образцах конечной длины. Переходный процесс при включении поля и нестационарные вольтамперные характеристики
471
Баширов Р.И., Гавриленко В.И., Красильник З.Ф., Мусаев А.М., Никоноров В.В., Потапенко С.Ю., Чернобровцева М.Д.
Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно деформированном германии
479
Захаров Ю.В., Материкин Д.И., Прибылов Н.Н., Бордюжа Л.П., Рембеза С.И.
Эффекты электрон-фононного взаимодействия в примесной фотопроводимости n-GaP<Ni>
485
Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф.
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
489
Гальперин Ю.М., Приев Э.Я.
Неомические эффекты в ВЧ прыжковой проводимости
493
Окунев В.Д., Пафомов Н.Н.
Электрическая активность Ni в стеклообразном CdGeAs
2
497
Казакевич Л.А., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф.
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
499
Абдусаттаров А.Г., Емцев В.В., Машовец Т.В.
Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в p-кремнии
502
Горлей П.Н.
О температурной зависимости зонных параметров дырок в теллуре
504
Глориозова Р.И., Колесник Л.И., Колин Н.Г., Освенский В.Б.
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
507
Абдурахманов К.П., Шеримбетов Т., Добровинский Ю.М., Сагдуллаев Х.У.
Радиационное дефектообразование в диодных структурах с различной интенсивностью
510
Савчук А.И., Деркач Б.Е., Ватаманюк П.П., Савицкий А.В., Ульяницкий К.С.
Особенности дисперсии фарадеевского вращения в полумагнитных полупроводниках
512
Квасков В.Б., Горбачев В.В.
Об эффективности фотоэмиссии с поверхности (111) алмаза с отрицательным электронным сродством
514
Руйбис Г.С., Толутис Р.Б.
О существовании медленных поверхностных волн геликонного типа
516
Дугаев В.К., Петров П.П.
Энергетический спектр носителей в узкой квантовой яме в бесщелевом полупроводнике
519
Прима Н.А., Саченко А.В.
Поверхностная релаксация энергии и отрицательная дифференциальная проводимость тонких образцов
522
Мармур И.Я., Оксман Я.А.
Релаксация фотоинжектированных носителей в германиевых p-n-переходах
525
Петухов А.Г.
Двухузельная модель биполярона малого радиуса
527
Атакулов Б.А., Журкин Б.Г., Убайдуллаев М.И.
Исследование физических свойств тензочувствительных пленок (BiSb)
2
Te
3
под действием лазерного облучения (ЛО)
530
Королев В.Л., Россин В.В., Сидоров В.Г.
Внешний квантовый выход светодиодов из GaAs<Si>
532
Колесников Н.В., Ломасов В.Н., Мальханов С.Е.
Спектр и пространственное распределение радиационных дефектов в облученном протонами кремнии
534
Выжигин Ю.В., Грессеров Б.Н., Соболев Н.А.
Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой p-n-переходов
536
Атакулов Ш.Б., Гафуров У.А., Казьмин С.А.
О межзонном рассеянии дырок в теллуриде висмута-сурьмы
539
Воеводин Е.И., Гершензон Е.М., Гольцман Г.Н., Птицина Н.Г., Чулкова Г.М.
Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно деформированном Ge
540
Архипов В.И., Никитенко В.Р., Руденко А.И.
Неравновесный фотодиэлектрический эффект в неупорядоченных материалах
544
Шпинар Л.И., Ясковец И.И.
Особенности проводимости полупроводников, обусловленные дефектами с сильным электрон-решеточным взаимодействием
547
Савченко А.П., Жигулин С.Н.
Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда методом электромодулированной фотолюминесценции
550
Пипа В.И.
Концентрация свободных электронов в полупроводнике в условиях дефицита фотонов
553
Гольдберг Ю.А., Ильина М.В., Поссе Е.А., Царенков Б.В.
Переход контакта полупроводник--жидкий металл от вентильного к омическому. Влияние параметров полупроводника на температуру перехода
555
Кадушкин В.И., Денисов А.А.
Фотомагнитный эффект в n-InSb в квантовом пределе
558
Борщак В.А., Василевский Д.Л., Виноградов М.С., Сердюк В.В.
Определение диффузионной длины неосновных носителей в неидеальных гетеропереходах
561
Аннотации депонированных статей
564
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук