Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2022, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 12
Электронные свойства полупроводников
Степанов Н.П., Иванов М.С.
Особенности в поведении температурных зависимостей магнитной восприимчивости кристаллов твердых растворов Bi
2
Te
3
-Sb
2
Te
3
, содержащих от 25 до 70% теллурида сурьмы
1103
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Логинов А.Б., Бокова-Сирош С.Н., Федотов П.В., Сапков И.В., Хмеленин Д.Н., Исмагилов Р.Р., Образцова Е.Д., Логинов Б.А., Образцов А.Н.
Получение и свойства мезопористых пленок MoS
2
1112
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Вознюк Г.В., Григоренко И.Н., Лила А.С., Митрофанов М.И., Николаев Д.Н., Евтихиев В.П.
О влиянии травления сфокусированным пучком ионов Ga
+
в диапазоне энергий 12-30 кэВ на люминесцентные свойства гетероструктуры Al
0.18
Ga
0.82
As/GaAs/Al
0.18
Ga
0.82
As
1120
Бохан П.А., Журавлев К.С., Закревский Д.Э., Малин Т.В., Осинных И.В., Фатеев Н.В.
Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al
0.68
Ga
0.32
N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре
1125
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники
Морозов К.М., Белоновский А.В., Калитеевский М.А.
Анализ динамики затухания люминесценции в металл-диэлектрических фотонных структурах с органическими слоями
1132
Углеродные системы
Елисеев И.А., Гущина Е.А., Клотченко С.А., Лебедев А.А., Лебедева Н.М., Лебедев С.П., Нащекин А.В., Петров В.Н., Пузык М.В., Роенков А.Д., Смирнов А.Н., Танклевская Е.М., Усиков А.С., Шабунина Е.И., Шмидт Н.М.
Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций
1137
Физика полупроводниковых приборов
Корнышов Г.О., Гордеев Н.Ю., Шерняков Ю.М., Бекман А.А., Паюсов А.С., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Максимов М.В.
Связь длины волны и усиления в лазерах на квантовых ямах, точках и яма-точках
1144
Паюсов А.С., Бекман А.А., Корнышов Г.О., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Гордеев Н.Ю.
Измерение теплового сопротивления торцевых полупроводниковых лазеров по спектрам спонтанного излучения
1148
Александров О.В.
Дисперсионный транспорт дырочных поляронов в МОП-структурах после ионизирующего излучения
1154
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук