Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1997, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, выпуск 5
Винценц С.В., Дмитриев С.Г., Захаров Р.А., Плотников Г.С.
Пороговое влияние локального импульсного лазерного облучения на поверхностные состояния окисного слоя на реальной поверхности германия
513
Талипов Ф.М.
Влияние марганца на радиационную деградацию электрических и рекомбинационных параметров монокристалла кремния
515
Мельничук С.В., Мельничук О.С., Савчук А.И., Трифоненко Д.Н.
Анизотропия угла фарадеевского вращения в Fe-содержащем полумагнитном полупроводнике
517
Бакиров М.Я.
Фотоэлектрические и радиационные характеристики кремниевых солнечных элементов при повышенных освещенностях и температурах
520
Бабенцов В.Н., Власенко З.К., Власенко А.И., Любченко А.В.
Распределение мелкой донорной примеси в пластине p-CdTe при ее отжиге в парах Cd
523
Болгов С.С., Малютенко В.К., Савченко А.П.
Эксклюзия носителей заряда в InAs
526
Алексеева Г.Т., Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И.
Природа центров локализации дырок в халькогенидах свинца с примесью натрия
528
Глинчук К.Д., Прохорович А.В.
Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te)
533
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Кудоярова В.Х.
О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si : H, выращенных при высоких температурах
536
Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Устинов В.М., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И.
Исследование свойств низкопороговых гетеролазеров с массивами квантовых точек
539
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф.
Глубокие уровни вакансий в сверхрешетке (AlAs)
1
(GaAs)
3
545
Копылов А.А., Холодилов А.Н.
Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол
556
Алиев С.А., Мовсум-заде А.А., Рагимов С.С.
О неупругом характере рассеяния электронов в сильно легированном Bi
0.88
Sb
0.12
559
Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А., Царенков Б.В.
Фотоэлектрический эффект в поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs: температурная зависимость коротковолновой квантовой эффективности
563
Шикин В.Б., Шикина Н.И.
Контактные явления в двумерных электронных системах
567
Константинов О.В., Оболенский О.И., Царенков Б.В.
Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике
571
Санкин В.И., Столичнов И.А.
Электронный транспорт в условиях ванье--штарковской локализации в политипах карбида кремния
577
Шикин В.Б.
Холловский кондактанс полубесконечной двумерной системы на низких частотах
585
Аллен Т.Ю., Полянская Т.А.
Электрофизические свойства твердых растворов p-GaAs
1-x
Sb
x
, легированных германием
587
Шатковский Е., Верцинский Я.
Фотолюминесценция в пористом кремнии при интенсивном лазерном возбуждении
593
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К.
О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния
597
Гуревич С.А., Закгейм Д.А., Соловьев С.А.
Поляризационная анизотропия оптических межзонных переходов в напряженных InGaAs/GaAs квантовых нитях
600
Вирт И.С., Цюцюра Д.И.
Фотоотклик кристаллов Cd
x
Hg
1-x
Te, обусловленный неоднородностями состава
606
Казакова Л.П., Лебедев А.А., Лебедев Э.А.
Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом в пористом кремнии
609
Гуревич С.А., Симин Г.С., Шаталов М.С.
Влияние поперечной неоднородности тока накачки и распределения поля на динамические характеристики полосковых инжекционных лазеров
611
Зубрилов А.С., Мельник Ю.В., Цветков Д.В., Бугров В.Е., Николаев А.Е., Степанов С.И., Дмитриев В.А.
Люминесцентные свойстава слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния
616
Грибников З.С.
Механизм многозначной анизотропии электропроводности двойных гетероструктурных ям и сверхрешеток
621
Кабанов В.Ф., Свердлова А.М.
Эффект положительного магнитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводника Eu
1-x
Sm
x
O
626
Образцов А.Н., Окуши Х., Ватанабе Х., Тимошенко В.Ю.
Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния
629
Верцимаха А.В., Сугаков В.И.
Рассеяние экситонов на флуктуациях концентрации и проекции спинов магнитных примесей в квантовых ямах в полумагнитных полупроводниках
632
Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П.
Оптический край поглощения и его модификация при распаде пленок твердых растворов теллурида и сульфида кадмия
635
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук