Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1999, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, выпуск 1
Электронные и оптические свойства полупроводников
Давыдов В.Ю., Лундин В.В., Смирнов А.Н., Соболев Н.А., Усиков А.С., Емельянов А.М., Маковийчук М.И., Паршин Е.О.
Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN в области длин волн 1.0-1.6 мкм
3
Акимов Б.А., Богоявленский В.А., Рябова Л.И., Васильков В.Н., Слынько Е.И.
Термостимулированные токи и неустойчивости фотоотклика в сплавах на основе PbTe(In) при низких температурах
9
Броневой И.Л., Кривоносов А.Н.
Влияние энергетического транспорта электронов путем излучения оптических фононов на суперлюминесценцию и обратимое просветление тонкого слоя GaAs, возбуждаемого мощным пикосекундным импульсом света
13
Василенко Д.В., Лукьянова Н.В., Сейсян Р.П.
Эффект Фано в спектрах магнитопоглощения арсенида галлия
19
Бахадырханов М.К., Курбанова У.Х., Зикриллаев Н.Ф.
Корреляция между параметрами материала и условиями возбуждения рекомбинационных волн в Si<S>
25
Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Немов С.А., Осипов П.А.
Явление самокомпенсации в тонких слоях PbSe : Tl
27
Соболев В.В., Бусыгина Е.Л.
Электронная структура пленок C
60
31
Даунов М.И., Камилов И.К., Магомедов А.Б., Киракосян А.Ш.
Арсенид индия p-типа --- квазибесщелевой полупроводник
36
Тагиев Б.Г., Мусаева Н.Н., Джаббаров Р.Б.
Коэффициент оптического поглощения в монокристаллах PbGa
2
Se
4
39
Гуткин А.А., Рещиков М.А., Седов В.Е.
Особенности температурной зависимости поляризации фотолюминесценции комплексов вакансия Ga--Sn
Ga
(Si
Ga
) в GaAs при резонансном поляризованном возбуждении
42
Власенко А.И., Власенко З.К., Любченко А.В.
Спектры фотопроводимости кристаллов CdHgTe с фотоактивными включениями
47
Расулов Р.Я., Саленко Ю.Е., Тухтаматов А., Эски Т., Авлияев А.Э.
К теории фотогальванических эффектов в кристаллах без центра инверсии
52
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Андронов А.А., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Робозеров С.В.
Сверхмелкие p
+
-n-переходы в Si(111): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области
58
Аржанухина И.П., Корнев К.П., Селезнев Ю.В.
Исследование спектров фоточувствительности гетероперехода n-GaAs--As
2
Se
3
64
Низкоразмерные системы
Борисов В.И., Сабликов В.А., Борисова И.В., Чмиль А.И.
Перезарядка центров с глубокими уровнями и отрицательная остаточная фотопроводимость в селективно легированных гетероструктурах AlGaAs / GaAs
68
Голубев В.Г., Морозова Л.Е., Певцов А.Б., Феоктистов Н.А.
Проводимость тонких нанокристаллических пленок кремния
75
Звягин И.П., Ормонт М.А.
Экранирование вертикального беспорядка в легированных полупроводниковых сверхрешетках
79
Стоклицкий С.А., Мурзин В.Н., Митягин Ю.А., Монемар Б., Хольц П.О.
Оптические межподзонные переходы в напряженных квантовых ямах на основе твердых растворов In
1-x
Ga
x
As/InP
83
Чжень Чжао, Бедарев Д.А., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Лунев А.В., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Устинов В.М., Копьев П.С.
Исследование влияния состава и условий отжига на оптические свойства квантовых точек (In,Ga)As в матрице (Al,Ga)As
91
Синявский Э.П., Русанов А.М.
Безызлучательная рекомбинация на мелкие связанные состояния в размерно-ограниченных системах в электрическом поле
97
Осипов В.В., Селяков А.Ю., Foygel M.
Туннельно-излучательная рекомбинация и люминесценция трапецеидальных delta-легированных сверхрешеток
101
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Андреев А.А., Воронков В.Б., Голубев В.Г., Медведев А.В., Певцов А.Б.
Влияние термического отжига на интенсивность полосы фотолюминесценции 1.54 мкм в легированном эрбием гидрогенизированном аморфном кремнии
106
Голикова О.А., Казанин М.М.
Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью
110
Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А.
Влияние условий имплантации на перераспределение эрбия при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния
114
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук