Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 9
Абакумов В.Н., Пахомов А.А., Яссиевич И.Н.
Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках (о б з о р)
1489
Голикова О.А.
Легирование и псевдолегирование аморфного гидрированного кремния (о б з о р)
1517
Лигачев В.А., Гордеев В.Н., Филиков В.А., Сулеман Х.
Конденсация SiH
n
-комплексов и псевдолегирование в alpha-Si : H
1536
Сырбу Н.Н., Лукин А.Н., Заднипру И.Б.
ИК колебательные спектры GeP
1542
Райчев О.Э.
Проводимость сверхрешеток с узкими минизонами в квантующих магнитных полях
1547
Семенюк Ю.А., Шаховцова С.И., Белокурова И.Н.
Низкотемпературный примесный пробой в одноосно деформированных сплавах германий-кремний
1553
Лобов Г.Д., Грацианская Е.И.
Экспериментальное наблюдение магнитоэлектрического эффекта в сурьмянистом индии, помещенном в продольное магнитное поле
1560
Касымова Р.С., Абдукаримова Х.Р.
Зависимость времени жизни носителей тока в кремнии, легированном золотом, от степени компенсации
1566
Джумамухамбетов Н.Г., Дмитриев А.Г.
Влияние легирующей примеси исходного кристалла на люминесцентные свойства модифицированного GaAs
1569
Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е., Пономарева О.А., Сергеева В.В., Цыпленков И.Н.
Диагностика эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на кремниевых подложках, методами фотолюминесценции и емкостной спектроскопии
1574
Серженко Ф.Л., Шадрин В.Д.
Теория фотоэлектрических и пороговых характеристик фотоприемников на основе многослойных структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
1579
Георгицэ Е.И., Иванов-Омский В.И., Мастеров В.Ф., Мунтяну Ф.М.
О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида галлия p-типа проводимости
1589
Акимов А.В., Шофман В.Г.
Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию эпитаксиального n-GaAs
1593
Манаков С.М., Сулейменов Б.С., Таурбаев Т.И., Дрюков В.Г.
Особенности спектральных характеристик тонкопленочных фотопреобразователей на основе a-Si : H с зеркально отражающим тыльным контактом
1601
Федирко В.А., Захарова А.А.
Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности дырочной плазмы
1607
Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Суханов В.Л.
Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре
1613
Волкова Е.А., Попов А.М., Поповичева О.Б.
Динамические характеристики туннелирования электронов через двухбарьерную квазипараболическую квантовую яму
1618
Андреева В.Д., Джумамухамбетов Н.Г., Дмитриев А.Г.
Термический отжиг кристаллов GaAs, модифицированных лазерным излучением
1624
Дроздова И.А., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шульга Е.П., Шейнкман М.К.
Образование структуры, ответственной за аномальную температурную зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS
1629
Немов С.А., Житинская М.К., Прошин В.И.
Особенности компенсации легирующего действия донорных примесей вакансиями в Pb
0.093
Sn
0.07
Se
1634
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Моисеев К.Д., Прокофьева Н.А., Попова Т.Б., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
1639
Нятикшис В., Норейка Д., Пятраускас М., Йодказис С., Ленцнер М.
Особенности динамики неравновесных носителей заряда в кристаллах GaAs при сильном оптическом возбуждении
1646
Григорьев Н.Н., Ергаков В.К., Карачевцева Л.А., Курбанов К.Р., Любченко А.В., Маловичко Э.А.
Электронное время жизни в кристаллах Cd
x
Hg
1-x
Te с разной плотностью малоугловых границ
1649
Назыров Д.Э., Куликов Г.С., Малкович Р.Ш.
Диффузия эрбия и тулия в кремнии
1653
Киндяк В.В., Моисеенко В.В., Киндяк А.С., Гременок В.Ф., Корень Н.Н., Григорьев К.П.
Определение оптических констант тонких пленок GeS, полученных импульсным лазерным испарением
1655
Матяс Э.Е., Гременок В.Ф., Трухан В.М.
Оптические свойства пленок (Zn
0.265
Cd
0.735
)
3
(P
0.1
As
0.9
)
2
, полученных импульсным лазерным испарением
1656
Иващенко А.И., Копанская Ф.Я., Соломонов А.И., Тарченко В.П.
Электронные ловушки, наведенные в n-GaP ионным легированием фосфором
1658
Бебенин Н.Г.
Деформационная зависимость коэффициента поглощения света в ферромагнитных полупроводниках CdCr
2
Se
4
и HgCr
2
Se
4
вблизи края фундаментальной полосы
1661
Морозова В.А., Пищиков Д.И., Лосева С.М., Кошелев О.Г., Маренкин С.Ф.
Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов диарсенида цинка
1664
Гергель В.А., Лукьянченко А.И., Соляков А.Н., Ильичев Э.А., Полторацкий Э.А.
Температурная зависимость эффекта управления транзистором через полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия
1667
Иванов Ю.Л., Шик А.Я.
Влияние магнитного поля на межуровневую релаксацию двумерных электронов
1670
Пятраускас М., Норейка Д., Нятикшис В., Банайтис А.
Исправления к статье "Некоторые особенности динамики ННЗ в кристаллах кремния при сильном оптическом возбуждении" (ФТП. 1991. Т. 25. В. 2. С. 344-347)
1673
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук