Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 12
Цидильковский И.М., Кулеев И.Г., Леринман Н.К., Лончаков А.Т., Сабирзянова Л.Д., Паранчич С.Ю.
Электронный перенос в бесщелевых полупроводниках, легированных как пространственно коррелированными, так и неупорядоченными примесями
2113
Моисеев А.Г.
О проводимости неупорядоченной пространственно неоднородной квантовой системы
2127
Назаров А.Н., Лысенко В.С., Пинчук В.М., Янчук Т.В.
Влияние водорода на процесс аннигиляции пар Френкеля в кремнии. Квантово-химическое исследование
2133
Свердлова А.М., Мантуров А.О., Федоренко Я.Г.
Исследование колебательных режимов в МДП структуре при внешнем периодическом воздействии
2143
Осипов Е.Б., Воронов О.В., Костин И.В., Осипова Н.А., Сорокина Н.О.
Модель акцептора Sn
As
в GaAs в условиях внешней деформации и магнитного поля
2149
Мустафаева С.Н., Мамедбейли С.Д., Асадов М.М., Мамедбейли И.А., Ахмедли К.М.
Релаксационные электронные процессы в монокристаллах TlGaSe
2
2154
Алексеева Г.Т., Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Федоров М.И.
Термоэлектрическая эффективность PbSe при гетеро- и изовалентном легировании
2159
Немов С.А., Прошин В.И., Равич Ю.И.
Термоэдс и энергия активации прыжковой проводимости в твердых растворах Pb
0.78
Sn
0.22
Te с большим содержанием In
2164
Крючков С.В., Попов К.А.
О возможности солитонного фильтра на основе квантовой сверхрешетки
2168
Абайдулина Т.Г., Немов С.А., Прошин В.И., Равич Ю.И.
Термоэдс и энергетический спектр электронов в твердом растворе (Pb
0.78
Sn
0.22
)
0.97
In
0.03
Te в области прыжковой проводимости при дополнительном легировании
2173
Аверкиев Н.С., Капитонова Л.М., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Смирнова Н.Н., Шик А.Я.
Частотная зависимость емкости в структурах на основе пористого кремния
2178
Коньков О.И., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н.
Получение и свойства пленок низкотемпературного тетраэдрического аморфного углерода
2183
Аветисян С.К., Меликян А.О., Минасян Г.Р.
Двухфотонное поглощение в многоямной квантовой структуре GaAs/Ga
1-x
Al
x
As
2188
Гриняев С.Н., Чалдышев В.А.
Расчет электронного энергетического спектра арсенида галллия с мышьяковыми кластерами
2195
Алешкин В.Я.
Адмиттанс планарно распределенных глубоких состояний
2202
Белоусов П.С., Гурошев В.И., Тагер А.С., Федоров Ю.Ю.
Диагностика буферных слоев многослойных эпитаксиальных структур из GaAs методом фотолюминесценции
2208
Будагян Б.Г., Шерченков А.А., Айвазов А.А.
Селективная фоточувствительность гетероструктур a-Si/ c-Si в ближней инфракрасной области спектра
2215
Ильяшенко И.Н., Строкан Н.Б., Шмидт Б.
Особенности формы линии при спектрометрии ионов Si-детекторами
2223
Юбилеи и даты Леонид Вениаминович Келдыш (к 65-летию со дня рождения)
2231
Юбилеи и даты Нина Александровна Горюнова (к 80-летию со дня рождения)
2232
Именной указатель
2235
Предметный указатель
2275
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук