Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2021, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7
Электронные свойства полупроводников
Алекперов А.С., Дашдемиров А.О., Нагиев Т.Г., Джабаров С.Г.
Влияние гамма-облучения на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd
537
Rodrigues Cloves G.
Electron Mobility in Bulk n-Doped SiC-polytypes 3C-SiC, 4H-SiC and 6H-SiC: a comparison
541
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Рыжов В.А., Мелех Б.Т., Казакова Л.П.
Оптические свойства фазопеременных материалов системы германий--сурьма-теллур составов Ge
14
Sb
29
Te
57
и Ge
15
Sb
15
Te
70
в дальнем инфракрасном диапазоне
542
Соболев Н.А., Калядин А.Е., Феклисова О.В., Якимов Е.Б.
Влияние деформации сжатия и растяжения на спектр дислокационной люминесценции в кремнии
550
Мынбаева М.Г., Смирнов А.Н., Мынбаев К.Д.
Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры
554
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Александров О.В.
Латентное накопление поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения
559
Aouati R., Djaaboube H., Bouabellou1 A., Taabouche A., Bouachiba Y., Daranfad O., Oudina A., Kharfi F.
Structural and Optical Properties of MgO Thin Films Prepared by Dip-Coating Process: Effect of Thickness
564
Ocak Y.S.
Influence of Annealing Condition on Ultrasonically Sprayed ZnS Thin Films
565
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Афанасьев А.Н., Алексеев П.С., Грешнов А.А., Семина М.А.
Баллистическое течение двумерных электронов в магнитном поле
566
Давыдов С.Ю., Посредник О.В.
Модель контакта двумерного металла и графеноподобного соединения с учетом их взаимодействия
578
Qader I.N., Qadr H.M., Ali P.H.
Calculation of Lattice Thermal Conductivity for Si Fishbone Nanowire Using Modified Callaway Model
584
Talla J.A., Almahmoud E.A., Al-Khaza'leh K., Abu-Farsakh H.
Structural and Electronic Properties of Rippled Graphene with Different Orientations of Stone--Wales Defects: First-Principles Study
585
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Степанов Н.П., Калашников А.А., Урюпин О.Н.
Зонная структура и процессы в электронной системе кристаллов (Bi
2-x
Sb
x
)Te
3
(0<x<2) по данным оптических исследований в инфракрасном диапазоне
586
Углеродные системы
Рехвиашвили С.Ш., Бухурова М.М.
Молекулы фуллерена C
60
под однослойным графеном на металлической подложке
592
Физика полупроводниковых приборов
Якимов А.И., Кириенко В.В., Блошкин А.А., Двуреченский А.В., Уткин Д.Е.
Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si
596
Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Вознюк Г.В., Митрофанов М.И., Харин Н Ю., Паневин В.Ю., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Евтихиев В.П., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю.
Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
602
Куницына Е.В., Пивоварова А.А., Андреев И.А., Коновалов Г.Г., Иванов Э.В., Ильинская Н.Д., Яковлев Ю.П.
Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9-1.8 мкм
607
Малевская А.В., Калюжный Н.А., Малевский Д.А., Минтаиров С.А., Салий Р.А., Паньчак А.Н., Покровский П.В., Потапович Н.С., Андреев В.М.
Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
614
Lin Y.-C., Niu J.-S., Liu W.-C., Tsai J.-H.
Thermal Stability of HfO
2
|AlGaN|GaN Normally-Off Transistors with Ni|Au and Pt Gate Metals
618
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук