Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6
Пихтин А.Н., Яськов А.Д.
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
969
Германенко А.В., Кружаев В.В., Миньков Г.М., Рут О.Э.
К вопросу о гальваномагнитных эффектах в слабо легированном бесщелевом полупроводнике p-Hg
1-x
Cd
x
Te
992
Антонова И.В., Васильев А.В., Панов В.И., Шаймеев С.Сю
Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников с неоднородным распределением примесей (дефектов)
998
Картавых А.В., Гришина С.П., Мильвидский М.Г., Рытова Н.С., Степанцова И.В., Юрова Е.С.
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
1004
Ждан А.Г., Мельников А.П., Рыльков В.В.
Межпримесная рекомбинация дырок через A
+
-состояния в слабо компенсированном p-Si
1011
Герасимов А.Л., Гринсон А.А., Гуткин А.А., Прошин В.И.
Влияние электрического поля на термическую эмиссию дырок собственными дефектами в p-GaAs, полученном жидкостной эпитаксией
1016
Мукашев Б.Н., Токмолдин С.Ж., Тамендаров М.Ф., Абдуллин Х.А., Чихрай Е.В.
Пассивация примесей и радиационных дефектов водородом в кремнии p-типа
1020
Колин Н.Г., Куликова Л.В., Освенский В.Б.
Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах
1025
Алфёрове Ж.И., Антонишкис Н.Ю., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З., Колышкин В.И., Налет Т.А., Стругов Н.А., Тикунов А.В.
Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (lambda=0.86/0.78 мкм) лазеры раздельного ограничения (J
п
=100 А/см
2
, КПД=59%)
1031
Гарбузов Д.З., Тикунов А.В., Жигулин С.Н., Соколова З.Н., Халфин В.Б.
Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики квантово-размерных InGaAsP/GaAs-гетеролазеров
1035
Барейкис В., Билькис Ж., Либерис Ю., Сакалас П., Шальтис Р.
Шумы и диффузия в коротких n
+
-n-n
+
-InP-структурах
1040
Дмитриев А.П., Емельянов С.А., Терентьев Я.В., Ярошецкий И.Д.
О возможности реализации инверсной населенности спиновых подуровней Ландау в n-InSb при интенсивном субмиллиметровом возбуждении
1045
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Перестройка светом шума 1/f в арсениде галлия
1049
Гигуашвили Г.В., Сарбей О.Г.
Расслоение поля в коротких образцах кремния при многозначном распределении электронов
1053
Двуреченский А.В., Каранович А.А.
Междоузельный дефект низкой симметрии в кремнии, облученном нейтронами
1057
Золотарев С.В., Корбутяк Д.В., Кучма Н.И., Литовченко В.Г., Никонюк Е.С.
Люминесцентные и электрофизические свойства кристаллов CdTe<Se>
1062
Арешев И.П., Розанов Н.Н., Субашиев В.К., Фараджев Б.Г., Ходова Г.В.
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
1068
Мартисов М.Ю., Шик А.Я.
Примесное рассеяние и межуровневые переходы в двумерных электронных системах
1075
Райчев О.Э.
К теории неомических явлений в бесщелевых полупроводниках при низких температурах
1080
Генкин Г.М., Окомельков А.В.
Инверсия населенностей при неомическом разогреве в бесщелевых полупроводниках
1085
Шик А.Я., Шмарцев Ю.В.
О реализации одномерных и квазиодномерных электронных каналов на вицинальных и профилированных поверхностях полупроводников
1091
Андреев В.М., Еремин В.К., Строкан Н.Б.
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
1096
Бекимбетов Р.Н., Рудь Ю.В., Таиров М.А., Ундалов Ю.К., Ушакова Т.Н., Бойко М.Е.
Дихроизм кристаллов MnIn
2
Te
4
и фотоплеохроизм структур на их основе
1101
Аскеров Б.М., Гашимзаде Н.Ф., Кулиев Б.И., Панахов М.М.
Недиссипативные термомагнитные явления в полупроводниковых сверхрешетках в квантующем магнитном поле
1104
Пихтин А.Н., Попов В.А., Юнис М.
Фотоэффект, индуцированный эффектом Штарка на связанном экситоне в GaP : N
1107
Показной И.И., Шишияну Ф.С., Тигиняну И.М., Никифоров В.П., Шонтя В.П.
Влияние давления паров мышьяка на свойства нелегированного полуизолирующего GaAs при термообработке
1108
Георгобиани А.Н., Илюхина З.П., Пышная Н.Б., Тигиняну И.М., Урсаки В.В.
Слои p-типа на кристаллах i-GaAs, отожженных в водороде
1110
Калинушкин В.П., Мурина Т.М., Тигиняну И.М., Юрьев В.А.
Влияние отжига на рассеяние света примесными скоплениями в полуизолирующих кристаллах InP : Fe и GaAs : Cr
1112
Лунев А.В., Рудь Ю.В., Таиров М.А., Ундалов Ю.К.
Поляризационная фоточувствительность анизотипных структур n-SiO
2
-p-CdGeP
2
<Ga>
1115
Авраменко В.А., Стриха М.В.
Ударная ионизация в дырочном антимониде индия
1117
Гук Е.Г., Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е.
Подавление светом шума 1/f в кремнии
1120
Галкин М.Г., Курбатов В.А., Соловьев Н.Н.
Влияние концентрации примеси на сечение ее фотоионизации (ион Zn
-
в германии)
1122
Брудный В.Н., Пешев В.В., Притулов А.М.
Накопление E3-центров в n-GaAs при gamma-облучении в интервале температур 77/580 K
1124
Касиян А.И., Сур И.В.
ИК поглощение свободными носителями при их рассеянии на примесях и плазмон-фононных колебаниях
1127
Воронина Т.И., Емельяненко О.В., Дахно А.Н., Лагунова Т.С., Старосельцева С.П., Чугуева З.И.
Релаксация фазы и локализация электронов в n-GaAs и n-InP вблизи перехода металл--диэлектрик
1129
Чеснис А.А., Гашка К.И., Огинскас А.К., Бальчюнас В.Ч.
О признаках проявления многофононной ионизации локальных центров в некристаллическом GaTe
3
1132
Вайнштейн С.Н., Жиляев Ю.В., Левинштейн М.Е.
Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых тиристорных структур
1134
Васильев А.В., Михнович В.В., Смагулова С.А.
Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии
1137
Бутько В.Г., Гусев А.А.
Безынерционная поляризация валентного полупроводника локализованным электронным возбуждением
1139
Салмин Е.А., Пономаренко В.П., Стафеев В.И.
Полевой транзистор со структурой МТДП на основе Cd
x
Hg
1-x
Te
1142
Регель А.Р., Серегин П.П., Насрединов Ф.С., Агзамов А.А.
Двухэлектронные центры олова в In
2
S
3
1144
Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., Миляев В.А., Никитин В.А.
Электрические свойства легированных германием монокристаллов кремния, подвергнутых термообработке
1146
Добровинский Ю.М., Соснин М.Г., Цмоць В.М., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л.
Влияние примеси олова на накопление радиационных дефектов в n-Si
1149
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук