Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 2
Пикус Г.Е., Марущак В.А., Титков А.Н.
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах A
III
B
V
О б з о р
185
Бушуева Г.В., Решетов В.И., Хромов А.А., Пендюр С.А., Насибов А.С., Печенов А.Н.
Влияние легирования кислородом на дефектную структуру и спектры люминесценции кристаллов CdS
201
Неймаш В.Б., Соснин М.Г., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л., Ясковец И.И.
Рекомбинация в n-Si при термообработке и облучении
206
Болотов В.В, Камаев Г.Н., Смирнов Л.С.
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
210
Крайчинский А.Н., Мизрухин Л.В., Осташко Н.И., Шаховцов В.И.
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
215
Калинин Ю.М., Криворотов Н.П.
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
219
Антоненко В.И., Ждан А.Г., Сульженко П.С.
Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si --- МОП структурах
223
Горшкова Т.А., Шадрин В.Д.
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
229
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Маркин Ю.В.
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
237
Артемьев В.А., Михнович В.В.
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
243
Акимов Б.А., Албул А.В., Никорич А.В., Широкова Н.А., Рябова Л.И.
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb
1-x
Sn
x
Te(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
248
Ванем Р.А., Кикоин К.А., Лыук П.А., Первова Л.Я.
Оптические свойства двойных дефектов в GaAs : Cr
255
Абакумов В.Н., Карпус В., Перель В.И., Яссиевич И.Н.
Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов
262
Емлин Р.В., Зверев Л.П., Рут О.Э.
Исследование зонных параметров твердых растворов Al
x
Ga
1-x
As по спектрам поглощения в квантующих магнитных полях
269
Грехов А.М., Дерюгина Н.И., Клапченко Г.М., Цященко Ю.П.
Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру a-Si : H
273
Архипов В.И., Логин В.М., Руденко А.И., Симашкевич А.А., Шутов С.Д.
Формирование активационного барьера на контакте металл--аморфный полупроводник
276
Гашимов Г.И., Рустамов А.Г., Мустафаев А.А.
Электрические и магнитные свойства системы Fe
1-x
Zn
x
Cr
2
S
4
282
Грехов А.М., Шаховцов В.И.
Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge в Si
285
Андриеш А.М., Акимова Е.А., Берил С.И., Верлан В.И.
Инжекция и перенос дырок в гетероструктуре Se/As
2
Se
3
289
Гарасько Г.И., Урюпин С.А.
Распределение электронов в бинарных полупроводниках и явление убегания
293
Аникин М.М., Лебедев А.А., Попов И.В., Растегаев В.П., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Челноков В.Е.
Электрические характеристики эпитаксиальных p
+
-n-n
+
-структур на основе карбида кремния политипа 6H
298
Бобровников Ю.А., Казакова В.М., Фистуль В.И.
Квантовый гармонический резонанс в кремнии
301
Бабицкий Ю.М., Горбачева Н.И., Гринштейн П.М., Ильин М.А., Кузнецов В.П., Мильвидский М.Г., Туровский Б.М.
Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии с изовалентными примесями
307
Кустов В.Е., Критская Т.В., Трипачко Н.А., Шаховцов В.И.
Влияние германия на внутренние упругие напряжения в кислородосодержащем кремнии
313
Стрекалов В.Н.
Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией электрон-дырочных пар: распределение по энергиям
315
Толстихин В.И.
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs
317
Бразис Р.С., Сафонова Л.С.
Распространение электромагнитных волн вдоль слоев периодической структуры полупроводник--диэлектрик с учетом гиротропии
320
Горин Е.А.
Модель формирования p-n-перехода у облученной лазером поверхности полупроводника
323
Арешев И.П., Субашиев В.К., Фараджев Б.Г.
Линейно-циркулярный дихроизм двухфотонного поглощения и самодефокусировка излучения неодимового лазера в кристаллах n-InР
325
Бумялене С.
Усиление малого сигнала в возбужденном n-Ge(Ni) в условиях возникновения умножения периода
328
Глазов В.М., Кольцов В.Б., Курбатов В.А.
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
330
Баженов Н.Л., Гасанов С.И., Иванов-Омский В.И., Мынбаев К.Д., Огородников В.К., Процык В.И.
Туннельно-рекомбинационные токи в p-n-переходах на основе Cd
x
Hg
1-x
Te при T>80 K
333
Беляев А.Е., Городничий О.П., Семенов Ю.Г., Шевченко Н.В., Боднарук О.А., Раренко И.М.
Особенности осцилляций Шубникова-де--Гааза в Mn
0.11
Hg
0.89
Te
335
Арушанов Э.К., Губанова А.А., Князев А.Ф., Лашкул А.В., Лисунов К.Г., Сологуб В.В.
Циклотронные массы и g
*
-факторы электронов в твердых растворах арсенид кадмия--арсенид цинка
338
Зюзин А.Ю., Спивак Б.З., Соколов В.Н., Фишков А.В.
Теория мезоскопических флуктуаций сопротивления проводников со сложной геометрией
341
Амусья В.М., Бирюлин Ю.Ф., Воробьева В.В., Голубев Л.В., Новиков С.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP
1-x
Sb
x
(x=< 0.07)
342
Малютенко В.К., Малозовский Ю.М.
Междузонное тепловое излучение полупроводников
345
Иоффе И.В.
О возможности полупроводникового аналога эффекта Марангони
347
Вейс А.Н., Кайданов В.И., Крупицкая Р.Ю.
Резонансные уровни в сильно компенсированном p-PbTe по данным ИК поглощения
349
Журавлев А.Б., Марущак В.А., Портной Е.Л., Стельмах Н.М., Титков А.Н.
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
352
Буда И.С., Баранский П.И.
Тензор Нернста--Эттингсгаузена в одноосно деформированных полупроводниках в условиях электрон-фононного увлечения
355
Смирнов И.Н., Бахтиарова М.В., Филатова Е.О.
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
357
Довбыш Л.Е., Попко В.И., Романов О.Г., Цмоць В.М., Шубак М.И.
Влияние реакторного облучения на электрические и магнитные свойства примесного германия
359
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
362
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук