Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2013, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Середин П.В., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Prutskij T.
Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al
x
Ga
1-x
As и Ga
x
In
1-x
P
3
Середин П.В., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л.
Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al
x
Ga
1-x
As)
1-y
C
y
, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией
9
Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В.
Влияние природы конденсируемого вещества на формирование популяции островков при криохимическом синтезе из паровой фазы
15
Электронные свойства полупроводников
Немов С.А., Благих Н.М., Шелимова Л.Е.
Особенности энергетического спектра и механизмов рассеяния дырок в PbSb
2
Te
4
18
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Самосват Д.М., Евтихиев В.П., Школьник А.С., Зегря Г.Г.
Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах
24
Григорьев М.М., Алексеев П.А., Иванов Э.В., Моисеев К.Д.
Двухцветная люминесценция в одиночной гетероструктуре II типа InAsSbP/InAs
30
Протасов Д.Ю., Малин Т.В., Тихонов А.В., Цацульников А.Ф., Журавлев К.С.
Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
36
Агекян В.Ф., Серов А.Ю., Философов Н.Г., Karczewski G.
Люминесценция структур ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными параметрами квантовых ям
48
Дубровский В.Г., Тимофеева М.А., Tchernycheva M., Большаков А.Д.
Радиальный рост и форма полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
53
Барановский М.В., Глинский Г.Ф., Миронова М.С.
Фотоэлектрический метод диагностики гетероструктур InGaN/GaN c множественными квантовыми ямами
60
Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И., Ноздрин Ю.Н.
Оптическая резонансная идентификация дальнего туннелирования электронов между уровнями сверхрешетки в электрическом поле
65
Холоднов В.А.
К теории фотоэлектрического эффекта в поверхностно-варизонных полупроводниках
68
Калинина К.В., Михайлова М.П., Журтанов Б.Е., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П.
Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами
75
Иванов П.А., Ильинская Н.Д., Потапов А.С., Самсонова Т.П., Афанасьев А.В., Ильин В.А.
Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки
83
Блохин С.А., Надточий А.М., Красивичев А.А., Карачинский Л.Я., Васильев А.П., Неведомский В.Н., Максимов М.В., Цырлин Г.Э., Буравлев А.Д., Малеев Н.А., Жуков А.Е., Леденцов Н.Н., Устинов В.М.
Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs
87
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники
Анисимова Н.И., Бордовский В.А., Грабко Г.И., Кастро Р.А.
Исследование структуры аморфных слоев a-As
2
Se
3
<Bi>
x
методом диэлектрической спектроскопии
92
Углеродные системы
Давыдов С.Ю.
Об особенностях плотности состояний эпитаксиального графена, сформированного на металлической и полупроводниковой подложках
97
Захарова И.Б., Зиминов В.М., Нащекин А.В., Вайнштейн Ю.С., Алешин А.Н.
Оптическая спектроскопия композитных тонких пленок C
60
: CdS
107
Физика полупроводниковых приборов
Емельянов А.М.
Краевая электролюминесценция в сильно легированных бором кремниевых p
+
-n-диодах малой площади: анализ модельных представлений
112
Юферев В.С., Левинштейн М.Е., Palmour J.W.
Особенности стационарного распределения носителей заряда и тока удержания в SiC-фототиристоре
118
Золотарев В.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Подоскин А.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Шамахов В.В., Арсентьев И.Н., Вавилова Л.С., Бахвалов К.В., Тарасов И.С.
Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
124
Бочкарева Н.И., Вороненков В.В., Горбунов Р.И., Латышев Ф.Е., Леликов Ю.С., Ребане Ю.Т., Цюк А.И., Шретер Ю.Г.
Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN
129
Кулакова Л.А., Аверкиев Н.С., Лютецкий А.В., Горелов В.А.
Акустоэлектронное взаимодействие в квантовых лазерных гетероструктурах
137
Персоналии
Владимир Иванович Иванов-Омский (к восьмидесятилетию со дня рождения) [10mm]
143
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme