Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 1
Гальперин Ю.М., Гершензон Е.М., Дричко И.Л., Литвак-Горская Л.Б.
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3
Кулиш Н.Р., Лисица М.П., Малыш Н.И., Булах Б.М.
Нелинейность краевого поглощения CdSe
25
Хакимов З.М., Пулатова Д.С., Адилов М.К., Махмудов А.Ш., Левин А.А., Юнусов М.С.
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
29
Глобус Т.Р., Олеск А.О., Олеск С.А.
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
37
Витман Р. Ф., Витовский Н. А., Лебедев А. А., Машовец Т. В,, Налбандян Л. В.
Проявление" скоплений атомов электрически не активных примесей в n-кремнии при gamma-облучении
45
Брандт Н.Б., Скипетров Е.П., Слынько Е.И., Хорош А.Г., Штанов В.И.
Гальваномагнитные эффекты в сплаве p-Pb
1-x
Sn
x
Te (x=0.2), облученном электронами
51
Васько Ф.Т., Стебловский Г.И.
Поляризованная люминесценция размерно-квантованных гетероструктур
59
Мельникова Ю.С.
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых p
+
-n-переходов
66
Ахметов В.Д., Болотов В.В., Камаев Г.Н., Смирнов Л.С.
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
72
Быковский В.А., Иванютин Л.А., Кольченко Т.И., Ломако В.М., Цыпленков И.Н., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
77
Акимов А.В., Жиляев Ю.В., Криволапчук В.В., Шофман В.Г.
Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs
82
Баженов Н.Л., Гельмонт Б.Л., Иванов-Омский В.И., Ижнин А.И., Смирнов В.А.
Фотолюминесценция твердых растворов Cd
0.4
Hg
0.6
Te
93
Баранов А.Н., Дахно А.Н., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
98
Дубков В.П., Скипетров Е.П.
Влияние давления на электрофизические свойства Pb
1-x
Sn
x
Se (x=0.25), облученного электронами, в диэлектрической фазе
104
Вяткин А.П., Крылова И.В., Максимова Н.К., Филонов Н.Г., Филатов В.И.
Тензоэлектрические явления в контактах металл-арсенид галлия при анизотропном давлении
109
Рыжий В.И., Семыкина Е.А.
К теории полевого полупроводникового инжектора с туннельно-резонансной структурой
115
Баранский П.И., Беляев А.Е., Городничий О.П., Комиренко С.М.
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-Cd
x
Hg
1-x
Te
121
Вейс А.Н., Дашевский З.М., Руленко М.П.
Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
126
Алешкин В.Я., Романов Ю.А.
Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой
131
Абдукадыров А.Г., Барановский С.Д., Ивченко Е.Л.
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
136
Кайданов В.И., Рыков С.А., Рыкова М.А., Сюрис О.В.
Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии
144
Алфёров Ж.И., Иванов С.В., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Луценко М.Э., Мельцер Б.Я., Неменов М.И., Устинов В.М., Шапошников С.В.
Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
152
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Клочкова А.М., Маркин Ю.В.
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник-диэлектрик
159
Либенсон Б.Н., Нормурадов М.Т., Рысбаев А.С.
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
166
Любченко А.В., Мысливец К.А., Олих Я.М.
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-Cd
x
Hg
1-x
Te, подвергнутых ультразвуковой обработке
171
Соколина Г.А., Ботев А.А., Буйлов Л.Л., Банцеков С.В., Лазарева О.И., Белянин А.Ф.
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
175
Михнович В.В., Фирсова Т.В.
Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах
181
Иванюкович В.А., Карась В.И., Ломако В.М.
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
185
Колин Н.Г., Королева И.А., Марков А.В., Освенский В.Б.
Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно легированного арсенида галлия
187
Григорьев Н.Н., Кудыкина Т.А., Любченко А.В.
Кинетика нарастания и спада концентрации носителей при импульсном фотовозбуждении неоднородных полупроводников
190
Гертович Т.С., Гринева С.И., Комиссаров Г.П., Манассон В.А., Огородник А.Д., Товстюк К.Д., Шарлай Е.С.
Поляриметрический фотоприемник
192
Авакянц Л.П., Александрович С.В., Велиюлин Э.И., Ефимов А.Д., Холина Е.Н., Чапнин В.А.
Определение концентрации марганца в твердых растворах Hg
1-x
Mn
x
Te методом электроотражения
193
Васильев В.П., Гельмонт Б.Л., Голубев В.Г., Иванов-Омский В.И., Кропотов Г.И.
Зеемановское расщепление 3Gamma
8
-
-состояния мелких акцепторов в германии
196
Гельмонт Б.Л., Родина А.В., Эфрос Ал.Л.
Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных полупроводниках
198
Алфёров Ж.И., Иванов С.В., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Мельцер Б.Я., Луценко М.Э.
(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см
2
) и 0.73 мкм (350 A/см
2
) с легированной квантовой ямой
201
Арутюнян В.М., Маргарян А.Л., Меликсетян В.А.
Влияние полевой диссоциации экситонов на фототок в полупроводниках
203
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук