Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 10
Кадушкин В.И., Денисов А.А., Колосова С.В.
Время релаксации импульса 2D-электронов n-Al
x
Ga
1-x
As/GaAs в классическом магнитном поле
1721
Тигиняну И.М., Урсаки В.В., Фулга В.Н.
О фазовом переходе порядок-беспорядок в катионной подрешетке соединения ZnGa
2
Se
4
1725
Муравьев А.В., Нефедов И.М., Ноздрин Ю.Н., Шастин В.Н.
Анизотропия валентной зоны и стимулированное излучение горячих дырок p-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях
1728
Голикова О.А., Казанин М.М., Кудоярова В.X., Мездрогина М.М., Сорокина К.Л., Бабаходжаев У.С.
Эффект псевдолегирования аморфного кремния
1737
Кондратьева О.Г., Неустроев Л.Н., Осипов В.В.
Флуктуация поперечного тока в легированной сверхрешетке
1741
Блохин И.К., Рахубовский А.А., Холоднов В.А.
О частотных свойствах изотипного контакта к высокоомному полупроводнику
1747
Бочков А.В., Гуревич Ю.Г., Машкевич О.Л.
Явления переноса в полупроводниках при электрон-фононном увлечении
1752
Бадалян С.М.
Рассеяние электронов двумерного газа Ферми на акустических фононах вблизи границы раздела упругих полупространств
1756
Средин В.Г., Укроженко В.М.
Нелинейное поглощение света в Cd
x
Hg
1-x
Te
1762
Быковский В.А., Утеико В.И.
Люминесценция арсенида галлия с участием пар атомов переходных металлов и мелких примесей
1767
Сырбу Н.Н., Морозова В.И., Стратан Г.И.
Тонкая структура спектров связанного экситона в тетрагональном дифосфиде цинка
1771
Константинова H.H., Рудь Ю.В.
Оптические свойства монокристаллов AgGaTe
2
1778
Кучеренко И.В., Каширская Л.М., Мёллман К.-П., Ицкевич Е.С.
Гальваномагнитные явления в сплавах Pb
0.75
Sn
0.25
Te с малой концентрацией In (0.1 ат%) вблизи бесщелевого состояния
1784
Марков А.В., Степанцова И.В., Освенский В.В., Гришина С.П.
Изменение электрических параметров полуизолирующего GaAs при термообработке
1791
Поморцев Р.В., Заболоцкий Е.И.
Энергетический спектр легких и тяжелых дырок в разбавленных магнитных полупроводниках в магнитном поле
1796
Монозон Б.С., Игнатьева Л.А.
Многофотонное поглощение компоненты бихроматической волны в полупроводнике в скрещенных электрическом и магнитном полях
1800
Соколова З.Н., Халфин В.Б.
Расчеты вероятностей излучательных переходов и времен жизни в квантово-размерных структурах
1806
Аникин М.М., Евстропов В.В., Попов И.В., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л.
Разновидность неклассического термоинжекционного тока в карбид-кремниевых p-n-структурах
1813
Кюрегян А.С., Юрков С.Н.
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
1819
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Шум 1/f и долговременная релаксация фотопроводимости в GaAs
1828
Глазов В.М., Ким С.Г., Нуров К.Б.
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
1834
Бобрикова О.В., Стась В.Ф., Герасименко Н.Н.
Формирование профиля концентрации A-, E-центров в ОПЗ кремниевых диодных структур
1838
Дмитриев С.Г.
О захвате электрона в приповерхностную энергетическую яму полупроводника
1845
Вартанян А.Л., Киракосян А.А.
Влияние неоднородности упругой среды на фононный механизм релаксации двумерных носителей заряда
1851
Балинас В., Галдикас А., Кроткус А., Сталненис А., Аминов Т.Г.
Пикосекундная фотопроводимость в CdCr
2
Se
4
1859
Гусаков Г.М., Кодратова Т.Н., Капский К.С., Ларюшин А.И.
Влияние импульсного лазерного облучения на профиль подвижности и проводимости эпитаксиальных слоев GaAs
1864
Белокурова И.Н., Третяк О.В., Шаховцова С.И., Шварц М.М., Шматов А.А.
Емкостная спектроскопия глубоких уровней облученных твердых растворов германий-кремний
1869
Гельмонт Б.Л., Голубев В.Г., Иванов-Омский В.И., Кропотов Г.И.
Магнитоспектроскопия литийсодержащих доноров в германии
1874
Рузин И.М., Шкловский Б.И.
Теория прыжковой фотопроводимости при длинноволновом возбуждении
1881
Безлюдный С.В., Колесников Н.В., Санин К.В., Суриков И.Н., Хансеваров Р.Ю., Якименко А.Н.
Влияние gamma-облучения на генерацию носителей заряда в МДП структурах на основе кремния
1888
Азимов Г.К., Зайнабидинов С.З., Козлов Ю.И.
Диффузия ванадия в кремнии
1890
Абдурахманов К.П., Закс М.В., Касаткин В.В., Куликов Г.С., Першеев С.К., Ходжаев К.X.
Исследование диффузии меди в профилированном кремнии, полученном способом А.В. Степанова
1891
Бончик А.Ю., Кияк С.Г., Огнева О.В., Поройков Ю.А., Похмурская А.В., Равич В.Н.
Лазерное твердофазное легирование фосфида индия
1893
Гредескул Т.С., Гуревич Ю.Г., Машкевич О.Л.
Разогрев носителей тока и фононов постоянным электрическим полем
1895
Захарова А.А., Рыжий В.И.
О механизме образования пространственно-неоднородных структур в полупроводниках под действием мощного лазерного излучения
1898
Богданова В.А., Люзе Л.Л., Семиколенова Н.А.
Плазмон-фононное возбуждение в арсениде галлия n-типа
1900
Ващенко В.А., Синкевич В.Ф.
Управляемый быстродействующий переключатель на основе тонких пленок арсенида галлия
1902
Кочетов Ю.А., Макаров Е.А., Шадрин В.С.
Пьезосопротивление короткоканальных МДП транзисторов
1904
Кольцов Г.И., Юрчук С.Ю.
Влияние глубоких центров, введенных в GaAs
1-x
P
x
ионной имплантацией и электронным облучением, на спектральные характеристики фоточувствительных структур
1906
Жукова Н.М., Кашин А.П., Максимов М.З., Марченко О.В.
Об оптимизации концентрации носителей в полупроводниковых термоэлементах
1908
Винецкий В.Л., Кудыкина Т.А.
Три световые волны в области экситонного резонанса в кристаллах CdS
1910
Лубышев Д.И., Мигель В.П., Преображенский В.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
Влияние отношения потоков мышьяка и галлия на люминесценцию арсенида галлия, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1913
Крючков С.В.
Электростимулированное примесное поглощение ультразвука в полупроводниках со сверхструктурой
1917
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук