Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 4

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Вихров С.П., Авачева Т.Г., Бодягин Н.В., Гришанкина Н.В., Авачев А.П.

Установление степени упорядочения структуры материалов на основе расчета информационно-корреляционных характеристик

433

Ильинский А.В., Квашенкина О.Е., Шадрин Е.Б.

Фазовый переход и корреляционные эффекты в диоксиде ванадия

439

Электронные свойства полупроводников

Гусейнов Дж.И., Джафаров Т.А.

Влияние gamma-облучения на электрофизические свойства термообработанных монокристаллов Tb_xSn_1-xSe

447

Брудный В.Н., Веревкин С.С., Говорков А.В., Ермаков В.С., Колин Н.Г., Корулин А.В., Поляков А.Я., Смирнов Н.Б.

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

450

Saravanan R., Sheeba R.A.J.R.

Comparison of electronic structure of as grown and solar grade silicon samples

457

Немов С.А., Благих Н.М., Дёма Н.С., Житинская М.К., Прошин В.И., Свечникова Т.Е., Шелимова Л.Е.

Влияние легирования медью на кинетические коэффициенты и их анизотропию в PbSb₂Te₄

463

Воробьева Н.В., Халилов Р.З.

Статические и динамические фотоиндуцированные магнитные эффекты в иттрий-железистом гранате с малой примесью ионов бария

469

Emtsev V.V., Ivanov A.M., Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Oganesyan G.A., Strokan N.B., Wagner G.

473

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Косяченко Л.А., Грушко Е.В., Микитюк Т.И.

Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей

482

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Лебедев М.В., Masuda T., Uosaki K.

Перенос заряда на границе n-GaAs(100) с водным раствором соляной кислоты: исследования методом электрохимической импедансной спектроскопии

487

Леонов А.В., Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М.

Особенности подвижности электронов в тонком слое кремния в структуре диэлектрик-кремний-диэлектрик

494

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.

Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs

500

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Светличный В.М., Александрова Е.Л., Тамеев А.Р., Мягкова Л.А., Матюшина Н.В.

Структурное управление величиной и типом проводимости в тонких пленках полифенилхинолинов

507

Светличный В.М., Александрова Е.Л., Некрасова Т.Н., Смыслов Р.Ю., Мягкова Л.А., Матюшина Н.В.

Карбазолсодержащие полифенилхинолины как основа оптоэлектронных материалов с белой люминесценцией

512

Данько В.А., Индутный И.З., Минько В.И., Шепелявый П.Е., Березнева О.В., Литвин О.С.

Эффект фототравления в тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников

520

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Бойченко А.П.

Воздействие барьерного разряда лавинной формы на галогенсеребряный фотоматериал при заблокированной ионной проводимости

525

Физика полупроводниковых приборов

Tsai Jung-Hui, Ye Sheng-Shiun, Guo Der-Feng, Lour Wen-Shiung

Comparative study of InGaP/GaAs high electron mobility transistors with upper and lower delta-doped supplied layers

530

Любутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н.

Работа полупроводникового прерывателя при сверхвысоких плотностях тока

535

Иванов П.А., Грехов И.В.

Диодные размыкатели тока с субнаносекундным быстродействием на основе 4H-SiC

544

Иванов П.А., Потапов А.С., Самсонова Т.П.

Низкотемпературные (77-300 K) вольт-амперные характеристики p⁺-p-n⁺-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в p-базе

548

Сорочкин А.В., Варавин В.С., Предеин А.В., Сабинина И.В., Якушев М.В.

Исследование фотоэлектрических характеристик диодов в макетных фоточувствительных пикселях для монолитного матричного ИК фотоприемника

551

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Беляев А.Е., Саченко А.В., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Матвеева Л.А., Миленин В.В., Новицкий С.В., Шеремет В.Н.

Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au--TiB_x-Ge-Au-n-n⁺-n⁺⁺- GaAs(InP)

558

Gupta Sanjeev K., Azam A., Akhtar J.

Effect of post oxidation annealing on electrical characteristics of Ni/SiO₂/4H-SiC capacitor with varying oxide thickness

562

Валишева Н.А., Терещенко О.Е., Просвирин И.П., Калинкин А.В., Голяшов В.А., Левцова Т.А., Бухтияров В.И.

Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава

569

Учредители

Издатель