Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2003, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, выпуск 10
Обзоры
Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И.
Модифицирование свойств Hg
1-x
Cd
x
Te низкоэнергетичными ионами О б з о р
1153
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Дейбук В.Г.
Термодинамическая устойчивость эпитаксиальных пленок GaInSb, InAsSb, GaInP
1179
Электронные и оптические свойства полупроводников
Абдуллаев А.А., Алиев А.Р., Камилов И.К.
Кинетика амбиполярных токов диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках
1184
Венгер Е.Ф., Матяш И.Е., Сердега Б.К.
Исследование наведенного одноосной деформацией линейного дихроизма в кристаллах кремния
1188
Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И., Рихтер А.
Фотолюминесценция аморфного углерода, выращенного лазерной абляцией графита
1193
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Стецун А.И.
Фотоосаждение металла в гетеропереходах с твердым электролитом. Случай гетеропереходов CdSe--As
2
S
3
: Ag
x
(x=0.9-2.4)
1197
Торхов Н.А.
Формирование структуры собственного оксида на поверхности n-GaAs при естественном окислении на воздухе
1205
Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., Освальд И., Гулициус Э., Панграц И., Шимечек Т.
Электролюминесценция в полуметаллическом канале на одиночной разъединенной гетерогранице II типа
1214
Низкоразмерные системы
Володин В.А., Ефремов М.Д., Никифоров А.И., Орехов Д.А., Пчеляков О.П., Ульянов В.В.
Резонансное комбинационное рассеяние света в наноостровках Ge, сформированных на подложке Si(111), покрытой ультратонким слоем SiO
2
1220
Ковалев В.М., Чаплик А.В.
Электронное поглощение поверхностных акустических волн квантовыми кольцами в магнитном поле
1225
Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г.
Характеристики многоостровковых одноэлектронных цепочек в зависимости от различных факторов
1231
Сергеев Р.А., Сурис Р.А.
X
+
-трион в системе с пространственным разделением носителей заряда
1235
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Ястребов С.Г., Гаррига М., Алонсо М.И., Иванов-Омский В.И.
Спектральная эллипсометрия аморфного гидрогенизированного углерода, выращенного при магнетронном распылении графита
1241
Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Пирятинский Ю.П., Смирнова Н.Н.
Переходный фототок и фотолюминесценция в пористом кремнии
1244
Физика полупроводниковых приборов
Мокеров В.Г., Пожела Ю.К., Федоров Ю.В.
Электронный транспорт в униполярных гетероструктурных транзисторах с квантовыми точками в сильных электрических полях
1248
Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П., Настаушев Ю.В., Гаврилова Т.А., Литвин Л.В., Aсеeв А.Л.
Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации
1253
Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Давыдов Д.В., Стрельчук А.М., Hallen A., Константинов А.О., Лучинин В.В., Никифоров А.Ю.
Влияние облучения быстрыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVD эпитаксиальных слоев 4H-SiC
1260
Малеев Н.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Васильев А.П., Михрин С.С., Кузьменков А.Г., Бедарев Д.А., Задиранов Ю.М., Кулагина М.М., Шерняков Ю.М., Шуленков А.С., Быковский В.А., Соловьев Ю.М., Moller C., Леденцов Н.Н., Устинов В.М.
Конструкция и технология изготовления вертикально излучающих лазеров с непроводящими эпитаксиальными зеркалами
1265
Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Гордеев Н.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Михрин С.С., Малеев Н.А., Васильев А.П., Устинов В.М., Алфёров Ж.И., Леденцов Н.Н., Бимберг Д.
Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров на квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм
1270
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук