Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1997, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, выпуск 9
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников ( механические и тепловые свойства, диффузия и т. д.)
Глазов В.М., Потемкин А.Я., Тимошина Г.Г., Михайлова М.С.
О возможности повышения термостабильности Si путем его легирования переходными, либо редкоземельными металлами
1025
Электронные и оптические свойства полупроводников
Мудрый А.В., Трухан В.М., Патук А.И., Шакин И.А., Маренкин С.Ф.
Оптическая спектроскопия экситонных состояний в диарсениде цинка
1029
Киндяк А.С., Киндяк В.В., Рудь Ю.В.
О структуре валентной зоны в халькопиритных пленках Cu(In,Ga)Se
2
1033
Ильин Н.П., Мастеров В.Ф.
Электронная структура комплекса Er--O
6
в кремнии
1037
Воробкало Ф.М., Глинчук К.Д., Прохорович А.В.
Гашение атомами меди обусловленной дефектами EL2 люминесценции в арсениде галлия
1045
Лебедев А.А., Давыдов Д.В.
Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной эпитаксией
1049
Бродовой А.В., Бродовой В.А., Кнорозок Л.М., Колесниченко В.Г., Колесник С.П.
Аномальные магнитные свойства твердых растворов (InSb)
1-x
(CdTe)
x
при низких температурах
1052
Золина К.Г., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э.
Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
1055
Гуткин А.А., Рещиков М.А., Седов В.Е.
Исследование комплекса V
Ga
Te
As
в n-GaAs с помощью поляризованной фотолюминесценции в диапазоне температур 77--230 K
1062
Качлишвили З.С., Кукутария Л.Г.
Проблема промежуточных температур или электрических полей при рассеянии горячих электронов на акустических фононах
1071
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Баранюк В.Е., Махний В.П.
Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенид цинка
1074
Голант Е.И., Пашковский А.Б.
Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах
1077
Ледебев А.А., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Щеглов М.П.
Исследование гетероэпитаксиальных структур { p-3C/n-6H}-SiC
1083
Низкоразмерные системы
Афоненко А.А., Кононенко В.К., Манак И.С., Шевцов В.А.
Скорость излучательной рекомбинации в квантово-размерных структурах в модели без правила отбора
1087
Дричко И.Л., Смирнов И.Ю.
Определение параметров двумерного электронного газа в гетероструктурах GaAs / AlGaAs бесконтактным способом
1092
Белявский В.И., Гольдфарб М.В., Копаев Ю.В.
Энергия связи кулоновских акцепторов в системах квантовых ям
1095
Звонков Б.Н., Малкина И.Г., Линькова Е.Р., Алешкин В.Я., Карпович И.А., Филатов Д.О.
Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками
1100
Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Копчатов В.И., Георгиевский А.М., Устинов В.М., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И.
Лазеры на квантовых точках: основные компоненты пороговой плотности тока
1106
Кавокин А.В., Кохановский С.И., Несвижский А.И., Сасин М.Э., Сейсян Р.П., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Гупалов С.В.
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs
1109
Васько Ф.Т., Кис Г.Я.
Влияние продольного магнитного поля на межподзонные переходы электронов в асимметричных гетероструктурах
1121
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю.
Радиационная стойкость пористого кремния
1126
Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Буйнова Э.Ю., Штырков Е.И., Бухараев А.А.
Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом
1130
Филиппов В.В., Бондаренко В.П., Першукевич П.П.
Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению
1135
Плесков Ю.В., Тамеев А.Р., Варнин-=SUP=-*-=/SUP=- В.П., Теремецкая-=SUP=-*-=/SUP=- И.Г., Баранов А.М.
Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда в пленках поликристаллического синтетического алмаза и аморфного алмазоподобного углерода
1142
Физика полупроводниковых приборов ( фотодиоды, лазеры и т. д.)
Булярский С.В., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В.
Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора
1146
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme