Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2004, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, выпуск 10
Обзоры
Александрова Е.Л.
Светочувствительные полимерные полупроводники О б з о р
1153
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Гамарц А.Е., Лебедев В.М., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б.
Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа
1195
Электронные и оптические свойства полупроводников
Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Волкова О.С., Голубев А.В., Моллаев А.Ю., Арсланов Р.К., Слынько В.Е.
Электронные и структурные переходы в сплавах Pb
1-x
Ge
x
Te : Ga под давлением
1199
Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г.
Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках Cd
X
Hg
1-X
Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1203
Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г.
Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe
1207
Богданова Е.В., Козловский В.В., Румянцев Д.С., Волкова А.А., Лебедев А.А.
Формирование и исследование захороненных слоев SiC с высоким содержанием радиационных дефектов
1211
Титов А.И., Карасев П.А., Кучеев С.О.
Модель электрической изоляции GaN и ZnO при бомбардировке легкими ионами
1215
Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Давыдов Д.В., Стрельчук А.М., Константинов А.О., Hallen A., Никифоров А.Ю., Скуратов В.А., Havancsak K.
Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий
1223
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Боднарь И.В., Никитин С.Е., Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В.
Создание и фоточувствительность гетеропереходов на кристаллах CuIn
3
Se
5
1228
Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М.
Влияние сероводорода на электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al--p-Si--SnO
2
: Cu--Ag
1234
Низкоразмерные системы
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Werner P.
О возможностях подавления формирования dome-кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100)
1239
Максимов М.В., Сизов Д.С., Макаров А.Г., Каяндер И.Н., Асрян Л.В., Жуков А.Е., Устинов В.М., Черкашин Н.А., Берт Н.А., Леденцов Н.Н., Bimberg D.
Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками
1245
Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И.
Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами в случае полярного рассеяния носителей на оптических фононах
1251
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П., Устинов В.М.
Свойства нановискеров GaAs на поверхности GaAs (111)B, полученных комбинированным методом
1256
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Казанский А.Г., Хабарова К.Ю.
Распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне микрокристаллического гидрированного кремния
1261
Физика полупроводниковых приборов
Якимов А.И., Двуреченский А.В., Кириенко В.В., Степина Н.П., Никифоров А.И., Ульянов В.В., Чайковский С.В., Володин В.А., Ефремов М.Д., Сексенбаев М.С., Шамирзаев Т.С., Журавлев К.С.
Волноводные Ge / Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи
1265
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В.
Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полупроводник/воздух
1270
Александров С.Б., Баранов Д.А., Кайдаш А.П., Красовицкий Д.М., Павленко М.В., Петров С.И., Погорельский Ю.В., Соколов И.А., Степанов М.В., Чалый В.П., Гладышева Н.Б., Дорофеев А.А., Матвеев Ю.А., Чернявский А.А.
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы на основе нитридов III группы
1275
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук