Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 10
Лейдерман А.Ю., Минбаева М.К.
Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах
1729
Ковалевская Т.Е., Овсюк В.Н.
О распределении потенциала в тонком слое полупроводника
1739
Карпович И.А., Филатов Д.О.
Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами методом спектроскопии конденсаторной фотоэдс
1745
Кабанов В.Ф., Свердлова А.М., Коротков Д.А.
Электрические свойства МДП структуры с пленкой магнитного полупроводника в качестве изолятора
1756
Карумидзе Г.С., Кекелидзе Л.И., Шенгелия Л.А.
Коэффициент теплопроводности карбида бора с различным содержанием изотопа
10
B
1761
Поклонский Н.А., Сягло А.И., Боровик Ф.Н.
Квазиклассический расчет сужения запрещенной зоны кремния при сильном легировании
1767
Кисин М.В.
Тяжелые дырки и проблема граничных условий в модели Кейна
1774
Карпович И.А., Степихова М.В.
Фотопроводимость, фотомагнитный и магниторезистивный эффекты в полуизолирующем GaAs. Определение рекомбинационных параметров
1785
Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Рувимов С.С., Устинов В.М., Комин В.В., Кочнев И.В., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д.
Идентификация каналов излучательной рекомбинации в структурах с квантовыми точками
1793
Лебедев А.А., Мальцев А.А., Полетаев Н.К., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Челноков В.Е.
Диоды на основе 6 H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии
1805
Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Джаббаров Р.Б., Мусаева Н.Н.
Токи термостимулированной деполяризации в монокристаллах CaIn
2
S
4
1809
Цацульников А.Ф., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Максимов М.В., Копьев П.С.
Особенности фотолюминесценции гетероструктур In
0.53
Ga
0.47
As/In
0.52
Al
0.48
As с двусторонним легированием
1814
Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Устинов В.М., Воловик Б.В., Крестников И.Л., Ковш А.Р., Сахаров А.В., Берт Н.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д.
Фотолюминесценция массивов вертикально связанных напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs(100)
1822
Мельничук С.В., Никитин П.И., Савчук А.И., Трифоненко Д.Н.
Эффект Фарадея в полумагнитном полупроводнике Cd
1- x
Fe
x
Te
1831
Белов С.В., Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф.
Подавление эффекта оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторах
1838
Баграев Н.Т., Онопко Д.Е., Рыскин А.И., Карпов Ю.А.
Глубокие центры эрбия в кремнии. I. Теория
1848
Баграев Н.Т., Онопко Д.Е., Рыскин А.И., Карпов Ю.А.
Глубокие центры эрбия в кремнии. II. Эксперимент
1855
Лебедев А.А., Давыдов Д.В., Игнатьев К.И.
Исследование контактной разности потенциалов 6 H-SiC p-n-структур, сформированных по различным технологиям
1865
Алиев М.И., Исаков Г.И., Исаева Э.А., Алиев И.М.
Теплопроводность эвтектик InSb--NiSb и GaSb--V
2
Ga
5
, полученных при различных скоростях роста
1871
Выграненко Ю.К., Слынько Е.И.
Фотоэлектрические свойства твердых растворов Pb
1- x
Ge
x
Te<Ga,Yb>
1876
Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Казанин М.М.
Пленки a-Si:H, осажденные при повышенных температурах методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле
1879
Кислюк В.В., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Пекарь Г.С., Сингаевский А.Ф., Шейнкман М.К.
Формирование профиля фоточувствительности в объемных монокристаллах CdS под действием внешнего электрического поля
1884
Берт Н.А., Чалдышев В.В.
Изменение картины муара на электронно-микроскопических изображениях As-кластеров в LT-GaAs при уменьшении их размеров
1889
Аброян И.А., Никулина Л.М.
Накопление дефектов в Si при последовательном облучении ионами аргона и азота. (Молекулярный эффект)
1893
Коржуев М.А., Лаптев А.В.
Об ''отрицательной непараболичности'' валентной зоны суперионного проводника Cu
2- x
Se
1898
Кольцов Г.И., Макаров В.В., Юрчук С.Ю.
Профили распределения имплантированного бериллия в полупроводниковых соединениях A
III
B
V
1907
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук