Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2008, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2008, том 42, выпуск 4
Электронные и оптические свойства полупроводников
Грыгорчак И.И., Пелехович А.И., Волынская Н.В.
Лазерно-стимулированная модификация примесного энергетического спектра селенида галлия, интеркалированного кобальтом
385
Никитина А.Г., Зуев В.В.
Определение энергии и концентрации амфотерных дефектов методом дифференциальной обработки температурной зависимости концентрации свободных носителей
389
Камилов И.К., Степуренко А.А., Гумметов А.Э., Ковалев А.С.
Влияние поперечного магнитного поля на поведение продольных автосолитонов в p-InSb
393
Давидюк Г.Е., Божко В.В., Мирончук Г.Л., Булатецкая Л.В., Кевшин А.Г.
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств специально не легированных и легированных Cu монокристаллов CdS
399
Алиев С.А., Алиев Ф.Ф.
Влияние флуктуаций на электронные и фононные процессы и термодинамические параметры Ag
2
Te и Ag
2
Se в области фазового перехода
404
Степанов Н.П., Гильфанов А.К., Иванова Л.Д., Гранаткина Ю.В.
Магнитная восприимчивость твердых растворов Bi
2
Te
3
--Sb
2
Te
3
410
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Унтила Г.Г., Кост Т.Н., Чеботарева А.Б., Закс М.Б., Ситников А.М., Солодуха О.И.
Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрические свойства гетероперехода IFO/p-Si
415
Драпак С.И., Гаврилюк С.В., Ковалюк З.Д., Литвин О.С.
Собственный окисел, возникающий на поверхности скола селенида галлия в результате длительного хранения
423
Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Шепельский Г.А.
Низкотемпературные аномалии фотоэлектромагнитного эффекта в p-Cd
x
Hg
1-x
Te, обусловленные перезарядкой поверхностных состояний
431
Низкоразмерные системы
Бадгутдинов М.Л., Юнович А.Э.
Спектры излучения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN: модель двумерной комбинированной плотности состояний
438
Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Курова И.А., Ормонт Н.Н.
Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si : H
447
Физика полупроводниковых приборов
Айзенштат Г.И., Лелеков М.А., Толбанов О.П.
Динамика формирования фотоответа в детекторной структуре из арсенида галлия
451
Астров Ю.А., Шуман В.Б., Лодыгин А.Н., Порцель Л.М., Махова А.Н.
Разработка фотоприемников для преобразователей изображений: легирование кремния селеном из газовой фазы
457
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Камалов А.Б., Капитанчук Л.М., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Миленин В.В., Насыров М.У.
Термостойкий диод Шоттки TiB
x
-n-GaP
463
Журтанов Б.Е., Ильинская Н.Д., Именков А.Н., Михайлова М.П., Калинина К.В., Сиповская М.А., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П.
Малошумящие фотодиоды на основе двойной гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb для спектрального диапазона 1-4.8 мкм
468
Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Leinonen T., Морозов М.Ю.
Нелинейно-оптическое преобразование частоты в двухцветном лазере с вертикальным внешним резонатором
473
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Астрова Е.В., Нечитайлов А.А.
Краевой эффект при электрохимическом травлении кремния
480
Галкин К.Н., Доценко С.А., Галкин Н.Г., Kumar M., Govind , Shivaprasad S.M.
Исследование начальных стадий роста Mg на Si(111) при комнатной температуре методами оптической и электронной спектроскопии
485
Рябцев С.В., Юкиш А.В., Ханго С.И., Юраков Ю.А., Шапошник А.В., Домашевская Э.П.
Кинетика резистивного отклика тонких пленок SnO
2-x
в газовой среде
491
Сердобинцев А.А., Веселов А.Г., Кирясова О.А.
Свойства пленок оксида цинка, синтезированных в низкотемпературном плазменном разряде в условиях бомбардировки компонентами плазмы
496
Шашкин В.И., Мурель А.В.
Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным delta-легированием
500
Персоналии
Захарий Фишелевич Красильник\% (1906-2006) ( к 60-летию со дня рождения)
503
Владимир Иванович Иванов-Омский ( к 75-летию со дня рождения)
505
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук