Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 11
Вильмс П.П., Энтин М.В.
Квантовые ямы, обусловленные неоднородным магнитным полем
1905
Алешкин В.Я., Додин Е.П., Козлов В.А., Нефедов И.М., Романов Ю.А.
Структура распределения горячих дырок германия в условиях стриминга
1910
Горбенко Н.В., Танатар М.А., Шейнкман М.К., Юрченко И.А.
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
1915
Марцинкявичюс С., Амбразявичюс Г., Бекимбетов Р.Н., Медведкин Г.А.
Оптические свойства MnIn
2
Te
4
и MnGa
2
Te
4
1919
Веретин В.С., Мансфельд Г.Д.
Циклотронная акустоэлектронная генерация в n-InSb в "бесстолкновительном" режиме взаимодействия
1924
Глазов В.М., Фараджов А.И.
Исследование электронных свойств соединения Bi
2
Se
3
в твердом и жидком состояниях
1929
Карачевцева М.В., Страхов В.А., Яременко Н.Г.
Фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP
1936
Глазов В.М., Ким С.Г., Сулейменов Т.
Исследование поглощения звука в жидком германии
1943
Голубев Л.В., Крещук А.М., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Сайдашев И.И.
Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии
1948
Гуревич Ю.Г., Машкевич О.Л., Юрченко В.Б.
Вольтамперные характеристики слоев обогащения с горячими носителями тока
1955
Артамонов В.В., Валах М.Я., Лисица М.П., Литовченко В.Г., Романюк Б.Н., Рудской И.В., Стрельчук В.В.
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar
+
1961
Балагуров Л.А., Омельяновский Э.М., Примбетов К.К., Стариков М.Н.
Энергетический спектр локализованных D-состояний в легированных образцах a-Si : Н
1967
Вейнгер А.И.
N-образность ВАХ кремниевых p-n-переходов в сильных СВЧ полях
1972
Райх М.Э., Рузин И.М., Шкловский Б.И.
Влияние локализованных состояний в барьере на флуктуационный туннельный ток через контакт металл--полупроводник
1979
Винокуров Л.А., Фукс Б.И.
Растекание тока в фоточувствительной среде с примесной фотопроводимостью
1986
Орлов Л.К., Кузнецов О.А.
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge-Ge
1-x
Si
x
1994
Аблязимова Н.А., Вейнгер А.И., Питанов В.С.
Электрические свойства кремниевых p-n-переходов в сильных СВЧ полях
2001
Ларкин И.А.
Рассеяние двумерных носителей тока на отдаленной кулоновской примеси
2008
Пищалко В.Д., Толстихин В.И.
Подавление динамического эффекта Бурштейна--Мосса оже-разогревом и безрезонаторная оптическая бистабильность в InGaAsP
2014
Бадалян С.М., Левинсон И.Б.
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2019
Константинов О.В., Мезрин О.А.
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
2025
Картавых А.В., Юрова Е.С., Мильвидский М.Г., Гришина С.П., Ковальчук И.А.
Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs при термообработках
2035
Андреев В.М., Еремин В.К., Строкан Н.В., Шокина Е.В.
Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям
2039
Житинская М.К., Кайданов В.И., Немов С.А., Афанасьева Л.А.
Особенности явления самокомпенсации в РbТе<Tl, Рb
изб
>
2043
Монозон Б.С., Селезнева А.Н.
Многофотонное электропоглощение в полупроводниках с вырожденной валентной зоной
2046
Гафийчук В.В., Кернер Б.С., Осипов В.В., Южанин А.Г.
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2051
Алексеев Е.С., Литинский Л.Б., Лихтер А.И.
Расчет зонной структуры германия с использованием фиктивных сфер
2059
Арзамасцев А.П., Данилин А.Б.
Атермическая роль скорости набора дозы в кинетике дефектообразования при имплантации ионов фосфора в кремний
2063
Беда А.Г., Воробкало Ф.М., Вайнберг В.В., Зарубин Л.И., Лазебник И.М., Овчаров В.В.
Влияние резонансных нейтронов на характеристики трансмутационно легированного германия
2065
Баранский П.И., Соколюк Д.В., Торишний В.И., Чипенко Г.В.
Особенности рассеяния дырок в синтетических алмазах в греющих электрических полях
2069
Лугаков П.Ф., Лукашевич Т.А.
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов при электронном и gamma-облучении кремния
2071
Снарский А.А.
О проводимости макроскопически неоднородных полупроводниковых пленок вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле
2073
Расулов Р.Я.
Эффект увлечения при трехфотонном поглощении света в кристаллах типа германия
2077
Городецкий М.Л., Ильченко В.С., Саава С.Э.
Слабое поглощение миллиметровых волн и прыжковая проводимость в слабо легированном кремнии
2080
Якушева Н.А., Журавлев К.С., Шегай О.А.
Об "очистке" арсенида галлия висмутом
2083
Король В.М.
О возможности обнаружения остаточных дефектов в ионно-легированных слоях кремния с помощью наблюдения диффузии имплантированных атомов натрия
2086
Абдурахманов К.П., Закс М.Б., Касаткин В.В., Куликов Г.С., Першеев С.К., Ходжаев К.Х.
Диффузия фосфора в профилированном кремнии, полученном способом А. В. Степанова
2088
Кальфа А.А., Пашковский А.Б.
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме
2090
Аверьянов В.Л., Звонарева Т.К., Любин В.М., Норцева Н.В., Павлов Б.В., Сарсембинов Ш.Ш., Цэндин К. Д. К.Д.
Двойное модифицирование стеклообразного селенида мышьяка
2093
Зыков Н.В.
Прыжковый перенос фотовозбужденных носителей в тонких пленках неупорядоченных полупроводников
2095
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук