Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6
Гуртов В.А., Назаров А.И., Травков И.В.
Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП структур при облучении
969
Ильичев Э.А., Олейник С.П., Матына Л.И., Варламов И.В., Липшиц Т.Л., Инкин В.Н.
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором
978
Багратишвили Г.Д., Берозашвили Ю.Н., Джанелидзе М.Б., Джанелидзе Р.Б.
Исследование плотности электронных состояний в пленках аморфного германия
982
Орлов Л.К., Елипашев И.А.
Пьезомодуляционный эффект в структурах с квантовыми ямами
987
Помозов Ю.В., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Яшник В.И.
Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si : Ge, облученных нейтронами
993
Крылов Д.Г., Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н.
Кинетика накопления и отжига поверхностных состояний на границе раздела структур кремний-окисел кремния при облучении
997
Иващенко А,И., Копанская Ф.Я., Тарченко В.П.
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная P
Ga
1001
Покровский Я.Е.
Контроль распределения примесей III и V групп в кремнии по интенсивности донорно-акцепторной люминесценции
1006
Андреева В.Д., Анисимов М.И., Джумамухамбетов Н.Г., Дмитриев А.Г.
Структура кристаллов GaAs<Te>, модифицированных импульсным лазерным излучением
1010
Супрунчик В.В., Демчук Д.Л., Иванов И.С., Стук А.А.
Дефекты структуры в сильно легированном бором кремнии, облученном нейтронами
1014
Цэндин К.Д.
Особенности примесной проводимости в неупорядоченных полупроводниках, имеющих собственные дефекты с отрицательной корреляционной энергией и электрически активные примесные атомы
1019
Воробьева В.В., Крещук А.М., Макарова Т.Л., Новиков С.В., Погребицкий К.Ю., Савельев И.Г.
Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями InP и In
0.53
Ga
0.47
As в гетероструктурах с 2МЭГ
1026
Берковиц В.Л., Львова Т.В., Хасиева Р.В.
Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта (омические исследования)
1031
Фистуль В.И., Шмугуров В.А.
Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия
1038
Мякенькая Г.С., Гуцев Г.Л., Герасименко Н.Н.
Изолированная примесь замещения элементов I и II периодов в нейтральном зарядовом состоянии в кристаллическом кремнии
1042
Шерегий Е.М., Угрин Ю.О.
Двухфононные процессы и межзонные переходы в магнитофононном резонансе дырок в InSb
1047
Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., Воробкало Ф.М.
Структура ИК поглощения кислорода в германии
1051
Титков А.Н., Чебан В.Н., Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Яковлев Ю.П.
Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа GalnAsSb/GaSb
1056
Бутусов Д.М., Гоцадзе Г.Г., Рыкин Б.С., Сурис Р.А.
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
1062
Добровольский В.Н., Ловейко В.Н., Нинидзе Г.К., Петрусенко В.Н.
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неосновных носителей заряда
1067
Баранов А.Н., Воронина Т.И., Дахно А.Н., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П.
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
1072
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
1079
Вагидов Н.З., Грибников З.С., Иващенко В.М.
Моделирование переноса электронов в реальном пространстве гетероструктуры GaAs/Al
x
Ga
1-x
As (для малых и больших значений x)
1087
Гермогенов В.П., Отман Я.И., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В., Эпиктетова Л.Е.
Подавление "природных" акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом
1095
Каранович А.А., Двуреченский А.В., Тысченко И.Е., Качурин Г.А.
Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si
1101
Добровольский В.Н., Сырых А.Д.
Дуальные датчики Холла
1103
Качлишвили З.С., Кезерашвили И. Д.
Динамический хаос в полупроводниках с горячими носителями
1106
Кадушкин В.И., Сеничкин А.П.
Энергетическая и импульсная релаксация 2D-электронов в квантующем магнитном поле
1109
Кадушкин В.И., Сеничкин А.П.
Анизотропия квантовых осцилляций магнитосопротивления и проводимости гетероструктур с 2D-электронами
1111
Рыжков М.П.
Функция генерации фотоносителей в варизонных полупроводниках
1114
Житинская М.К., Немов С.А., Прошин В.И.
Глубокая самокомпенсация в системе PbSe<Cl, Se
изб
>
1116
Клингер П.М., Фистуль В.И.
Параметры компенсирующих центров в n-Si сильно компенсированным облучением
1118
Крючков С.В., Сыродоев Г.А.
Затухание бризера в сверхрешетке
1120
Козловский В.В., Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е.
Влияние интенсивности облучения и энергии частиц на эффективность образования глубоких центров в n-InP
1123
Маринченко А.В., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Яшник В.И.
Структура полос поглощения термодонорных центров в кремнии
1126
Критская Т.В., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Яшник В.И.
Особенности спектров ИК поглощения термодоноров в кристаллах Si : Ge
1129
Александров П.А., Баранова Е.К., Бударагин В.В., Демаков К.Д., Котов Е.В., Новиков А.П., Шемардов С.Г.
Высокотемпературная ионная имплантация мышьяка в кремний
1132
Алтухов И.В., Покровский Я.Е., Смирнова О.И., Синис В.П.
Бесконтактный СВЧ метод исследования кинетики примесной фотопроводимости в кремнии
1134
Хасбулатов А.М., Машовец Д.В., Попов В.В.
Эффект "отрицательного сопротивления" в Cd
0.1
Hg
0.9
Te
1136
Соколов А.П., Шебанин А.П.
Структурная упорядоченность и оптические свойства аморфного кремния
1138
Веденеев А.С., Дмитриев С.Г., Рыльков В.В., Шагимуратов О.Г.
Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциала в полупроводнике
1141
Казанский А.Г., Миличевич Е.П., Уразбаева Р.А.
Температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрированном кремнии, слабо легированном бором
1143
Крещук А.М., Лаурс Е.П., Новиков С.В., Савельев И.Г., Семашко Е.М., Стовповой М.А., Шик А.Я.
Инвертированная гетероструктура InP/In
0.53
Ga
0.47
As для полевого транзистора
1145
Памяти Олега Вячеславовича Снитко (1928-1990)
1148
Опечатки и исправления (ФТП. 1990. Т. 24. В. 4. С. 610-630)
1153
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук