Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1999, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, выпуск 2
Обзоры
Лебедев А.А.
Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния О б з о р
129
Электронные и оптические свойства полупроводников
Андреев А.Ю., Андреев Б.А., Дроздов М.Н., Кузнецов В.П., Красильник З.Ф., Карпов Ю.А., Рубцова Р.А., Степихова М.В., Ускова Е.А., Шмагин В.Б., Ellmer H., Palmetshofer L., Piplits K., Hutter H.
Оптически активные слои кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
156
Агринская Н.В., Козуб В.И., Полянская Т.А., Саидов А.С.
Проявление varepsilon
2
-проводимости в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
161
Косяченко Л.А., Мазур М.П.
Длинноволновое излучение горячих носителей заряда в кремнии
170
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Николаев В.В., Соколовский Г.С., Калитеевский М.А.
Брэгговские отражатели для цилиндрических волн
174
Низкоразмерные системы
Жуков А.Е., Ковш А.Р., Егоров А.Ю., Малеев Н.А., Устинов В.М., Воловик Б.В., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Шерняков Ю.М., Лунев А.В., Мусихин Ю.Г., Берт Н.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И.
Фото- и электролюминесценция вблизи 1.3 мкм структур с квантовыми точками на подложках GaAs
180
Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г.
Емкостная спектроскопия глубоких состояний в InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками
184
Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Копьев П.С., Алферов Ж.И.
Влияние условий выращивания на формирование и люминесцентные свойства квантовых точек InGaAs в матрице Si
194
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И.
Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl : HF : C
2
H
5
OH
198
Акимов Б.А., Гаськов А.М., Лабо М., Подгузова С.Е., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Тадеев А.
Проводимость структур на основе легированных нанокристаллических пленок SnO
2
c золотыми контактами
205
Теруков Е.И., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Гусев О.Б., Вайзер Г., Кюне Х.
Влияние температуры подложки и отжига на фотолюминесценцию эрбия на длине волны 1.54 мкм в пленках a-Si : H, полученных методом тлеющего разряда
208
Физика полупроводниковых приборов
Яркин Д.Г.
Транспортные свойства и фоточувствительность структур металл/пористый кремний/c-Si
211
Ковш А.Р., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Копьев П.С.
Особенности усиления в инжекционных лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек
215
Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э.
Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе
224
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Механизмы излучательной рекомбинации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb / InAsSbP, работающих в диапазоне 3.0/3.6 мкм
233
Данилова Т.Н., Журтанов Б.Е., Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Именков А.Н., Сараев О.Н., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм
239
Данилова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Безынерционная перестройка частоты генерации диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb / InAsSbP (lambda=3.3 мкм), обусловленная нелинейными оптическими эффектами
243
Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П.
Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Ga
1-x
In
x
As
y
Sb
1-y
c составом вблизи границы области несмешиваемости
249
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme