Исследована начальная кинетика образования термодоноров (ТД) в кристаллах Si<O> и Si<O,C>, (N_O=8·10¹⁷, N_C=2.5·10¹⁷ см^-3) при T=375^o. Установлено, что присутствие примесных атомов углерода не оказывает существенного влияния как на концентрацию подвижных частиц, последовательно формирующих серию двухзарядных ТД, так и на константы скоростей прямых реакций для первых типов ТД. Снижение начальной скорости генерации ТД в кристаллах Si<O,C> обусловлено главным образом уменьшением стационарной концентрации центров зарождения ТД вследствие возрастания констант скоростей их диссоциации и (или) трансформации в другие электрически неактивные центры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.