Исследуется механизм оптической нелинейности в волноводной P-I-N-гетероструктуре на основе GaAs/GaAlAs, обусловленный перераспределением электрического поля в I-слое при электропоглощении. Характер нелинейности определяется типом моды вводимого излучения. Использование предложенного механизма в элементах типа SEED позволит существенно повысить их быстродействие.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.