Методом емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовался кремний, имплантированный ионами азота с энергией 135 кэВ, дозами 10¹⁴-10¹⁵ см^-2 при температуре 500-900^oC. Получено, что при T=500^oC в верхней половине запрещенной зоны наблюдаются уровни E_c -0.31, -0.40 и -0.60 эВ, связанные, по-видимому, с оборванными связями (или комплексами оборванная связь-примесь) на протяженных дефектах (стержнеобразные дефекты и дислокационные петли). Повышение температуры облучения до 700^oC приводит к резкому уменьшению концентрации электрически активных дефектов до ~10¹² см^-3, что коррелирует с количеством вводимых при таких режимах структурных нарушений. При T=900^oC наблюдаемый спектр дефектов меняется. Вводятся уровни E_c -0.10, -0.13 эВ и пик, представляющий собой суммарный сигнал от спектра уровней в диапазоне от E_c -0.17 до -0.35 эВ. Все дефекты имеют сечение захвата электрона на уровень sigma<110^-18 см². Исследование дозовой зависимости накопления дефектов, пространственного распределения и сравнение с набором дефектов, вводимых при имплантации Ne⁺, позволило связать первые два уровня с включениями нитрида кремния, а третий пик с дефектами радиационной природы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.