Исследовались зарядовые свойства поверхности и границы раздела диэлектрик-полупроводник кремниевых МДП структур с Аl-, Au-контактами с различного типа окисными диэлектриками в зависимости от степени однородности объема базового полупроводника и диэлектрика. Показано, что в МДП структурах с Al-контактом на основе сравнительно однородного кремния с разбросом удельного сопротивления Deltarho_V не более 10% основное влияние на степень однородности энергетического спектра быстрых поверхностных электронных состояний (БПЭС) с временем релаксации tau_p~10^-6 с оказывает структурная неоднородность объема диэлектрика с доминирующим влиянием эффектов, обусловленных либо сквозной, либо релаксационной проводимостью. В аналогичных структурах на основе структурно-неоднородного слабо легированного кремния с Deltarho_V>50% основное влияние на свойства БПЭС оказывает исходная неоднородность полупроводника, а на свойства медленных состояний (МПЭС) с tau_p~10^-3 с - структурная неоднородность объема диэлектрика. В то время как на указанных структурах с Аl-контактом высокая структурная неоднородность поверхностных электронных состояний (ПЭС) с глубиной залегания в узких пределах запрещенной зоны (0.35/0.55) эВ, основное влияние на свойства МПЭС и БПЭС акцепторной природы оказывает Au-контакт, обладающий высокой термической нестабильностью и миграционной способностью в процессе формирования МДП структур. Приводятся сравнительные характеристики хлорной и фосфорной пассивации поверхности в оптимальных и неоптимальных режимах синтеза диэлектриков.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.